[發明專利]一種光輻射感生電壓材料及其薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 01108518.5 | 申請日： | 2001-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN1391290A | 公開（公告）日： | 2003-01-15 |
| 發明（設計）人： | 張鵬翔;漢斯烏利希哈博邁耶爾;李曉航 | 申請（專利權）人： | 昆明理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/0256 | 分類號： | H01L31/0256 |
| 代理公司： | 昆明大百科專利事務所 | 代理人： | 楊宏珍 |
| 地址： | 650051 云南*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光輻射 感生 電壓 材料 及其 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種光熱輻射感生電壓材料，其特征在于用T1-XDXMnYOδ作為光輻射、熱輻射感生電壓效應的材料；其分子式T1-XDXMnYOδ中：T代表三價的Y和稀土離子或其組合，D代表二價Ca、Sr、Pb、Ba或其組合，其中x小于1，y＝0.75-1.5，δ＝2.5-4.0。
2、一種光熱輻射感生電壓材料薄膜的制備方法，其特征在于將T1-XDXMnYOδ作為光輻射、熱輻射感生電壓效應的材料，并外延生長在5°-30°傾斜取向的SrTiO3，LaAlO3，YSZ，MgO，LaSrAlO4單晶襯底上。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
