[發明專利]用于改善后端生產線結構穩定性的混合介質結構

有效

• 申請號: 01108312.3
• 申請日: 2001-02-27
• 公開（公告）號: CN1311530A
• 公開（公告）日: 2001-09-05
• 發明（設計）人: 查爾斯·R·戴維斯;丹尼爾·C·埃德爾斯坦;約翰·C·海;杰弗里·C·赫德里克;克里斯托弗·詹尼斯;文森特·邁克海;亨利·A·奈三世
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1．集成電路芯片上的一種多層共面互連結構，它包含：

具有被介電常數較低且彈性模量也較低的介電材料分隔的多個互連導體的平面線路層；以及

包含彈性模量比線路層更高的介電膜和穿過其中的導電通孔的平面通孔層，其中

線路層和通孔層之一位于集成電路襯底上并確定第一層，而線路層和通孔層中的另一個位于第一層上，使通孔選擇性地接觸到線路層導體。

2．權利要求1的多層共面互連結構，其中的介電膜具有較低的介電常數。

3．權利要求1的多層共面互連結構，其中的介電材料的介電常數小于大約3.0。

4．權利要求1的多層共面互連結構，其中的介電材料包含聚亞芳基醚材料。

5．權利要求1的多層共面互連結構，其中的介電材料包含有機材料。

6．權利要求1的多層共面互連結構，其中的介電膜包含無機薄膜。

7．權利要求1的多層共面互連結構，其中的介電膜包含SiCOH膜。

8．集成電路芯片上的一種多層共面銅鑲嵌互連結構，它包含：

集成電路襯底上的具有被介電常數較低且彈性模量也較低的介電材料分隔的多個線路導體的第一平面互連層；

第一平面互連層上的包含彈性模量比第一平面互連層更高的介電膜和穿過其中的導電通孔的第二平面互連層，通孔選擇性地接觸到線路導體；以及

第二平面互連層上的具有被介電材料分隔并選擇性地接觸到通孔的多個線路導體的第三平面互連層。

9．權利要求8的多層共面鑲嵌互連結構，其中的介電膜具有較低的介電常數。

10．權利要求8的多層共面鑲嵌互連結構，其中的介電材料的介電常數小于大約3.0。

11．權利要求8的多層共面鑲嵌互連結構，其中的介電材料包含聚亞芳基醚材料。

12．權利要求8的多層共面鑲嵌互連結構，其中的介電材料包含有機材料。

13．權利要求8的多層共面鑲嵌互連結構，其中的介電膜包含無機薄膜。

14．權利要求8的多層共面鑲嵌互連結構，其中的介電膜包含SiCOH膜。

15．集成電路芯片上的一種多層共面互連結構，它包含：

具有被介電常數較低的介電材料分隔的多個互連導體的平面線路層；以及

包含介電常數較低的無機介電膜和穿過其中的導電通孔的平面通孔層，其中

線路層和通孔層之一位于集成電路襯底上并確定第一層，而線路層和通孔層中的另一個位于第一層上，使通孔選擇性地接觸到線路層導體。

16．權利要求15的多層共面互連結構，其中的介電材料具有比介電膜更低的彈性模量。

17．權利要求15的多層共面互連結構，其中的介電材料和介電膜的介電常數均小于大約3.0。

18．權利要求16的多層共面互連結構，其中的介電材料的彈性模量小于20GPa。