[發明專利]離子源及其操作方法

無效

• 申請號: 01104953.7
• 申請日: 2001-02-23
• 公開（公告）號: CN1312578A
• 公開（公告）日: 2001-09-12
• 發明（設計）人: 山下貴敏
• 申請（專利權）人: 日新電機株式會社
• 主分類號: H01J27/14
• 分類號: H01J27/14;H01J37/08
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 盧新華,楊麗琴

1．一種離子源，包括：

作為陽極的等離子體產生容器；

在所述等離子體產生容器的一側提供的燈絲；

在所述等離子體產生容器的另一側對著所述燈絲提供并保持在燈絲電位或浮動電位的反射器；和

用于在所述等離子體容器內的連接所述燈絲和所述反射器的方向上產生磁場的磁體，

其中，滿足關系：

?????L＜3.37B^-1√(V_A)×10^-6

這里，施加在所述等離子體產生容器與所述燈絲之間的電弧電壓為V_A[V]，所述等離子體產生容器內的磁場的磁通量密度為B[T]，從幾乎位于所述燈絲尖部中心的最高頻率的電子發射點到等離子體產生容器的工作面前壁的最短距離為L[m]。

2．根據權利要求1的離子源，其中，所述離子源是Bernus型。

3．根據權利要求1的離子源，其中，所述磁體是電磁體或永久磁體。

4．一種操作離子源的方法，所束離子源包括作為陽極的等離子體產生容器、在所述等離子體產生容器的一側提供的燈絲、在所述等離子體產生容器的另一側對著所述燈絲提供并保持在燈絲電位或浮動電位的反射器、和用于在所述等離子體容器內的連接所述燈絲和所述反射器的方向上產生磁場的磁體，所述方法包括以滿足下列關系引出離子束的步驟：

?????L＜3.37B^-1√(V_A)×10^-6

這里，施加在所述等離子體產生容器與所述燈絲之間的電弧電壓為V_A[V]，所述等離子體產生容器內的磁場的磁通量密度為B[T]，從幾乎位于所述燈絲尖部中心的最高頻率的電子發射點到等離子體產生容器的工作面前壁的最短距離為L[m]。

5．根據權利要求4的方法，其中，所束離子源是Bernus型。

6．根據權利要求4的方法，其中，所述磁體是電磁體或永久磁體。