[發明專利]制備用于電連接的導電座的方法及形成的導電座

有效

• 申請號: 01104679.1
• 申請日: 2001-02-21
• 公開（公告）號: CN1311526A
• 公開（公告）日: 2001-09-05
• 發明（設計）人: 卡洛斯·J·桑布塞蒂;丹尼爾·C·艾德爾斯坦;約翰·G·高德羅;朱迪思·M·魯賓諾;喬治·沃克
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/48;H01L23/48;H05K3/00;H05K1/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1．一種制備用于電連接的銅座表面的方法，包括步驟：

提供銅座表面；

在銅座表面上選擇地沉積一個含磷或含硼合金的保護層；與

在所述保護層上面選擇地沉積一個稀有金屬的附著層。

2．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，還包括在沉積保護層之前在銅座表面上選擇性沉積一個稀有金屬的形核層的步驟。

3．一種制備用于電連接的銅座表面的方法，還包括步驟：

在一種酸溶液中清潔銅座表面；與

在銅座表面上選擇性沉積一個稀有金屬的形核層。

4．根據權利要求2的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述形核層由鈀沉積。

5．根據權利要求3的制備用于電連接的銅座表面的方法，還包括在沉積所述形核層之后用水清洗銅座表面的步驟。

6．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座層的方法，還包括通過無電鍍技術沉積所述保護層的步驟。

7．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述沉積一個保護層的步驟還包括步驟：

將所述銅座表面與一個無電鍍槽內的加熱緩沖溶液接觸，該無電鍍槽含有鈷離子、硼酸、檸檬酸鹽離子、醋酸鉛與次磷酸鹽；與

將所述銅座表面與加熱無電鍍溶液接觸，該溶液含有鎳離子、檸檬酸鹽離子、硼酸、次磷酸鈉或二甲氨基硼化氫。

8．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述附著層由從包括Au、Pt、Pd與Ag的組中選擇的一種金屬形成。

9．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述附著層通過把晶片浸入Au浸沒溶液形成。

10．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述附著層由一種稀有金屬形成至厚度在約500與約4000之間。

11．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述含磷或含硼的合金從包括Ni-P、Co-P、Co-W-P、Co-Sn-P、Ni-W-P、Co-B、Ni-B、Co-Sn-B、Co-W-B與Ni-W-B的組中選擇。

12．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述保護層由一種含磷或含硼的合金形成至厚度在約1000與約10000之間。

13．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，還包括通過無電鍍技術在所述附著層的上面沉積稀有金屬層使稀有金屬層的總厚度在約2000與約12000之間的步驟。

14．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述保護層包括每個為含磷或含硼合金的2個獨立層。

15．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述保護層為Co-W-P與Ni-P的復合層，所述附著層為Au。

16．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述保護層為Ni-P或Co-W-P，并且所述附著層為Au。

17．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述保護層為Ni-P，并且所述附著層為浸沒Au與無電鍍Pd。

18．根據權利要求2的制備用于電連接的銅座表面的方法，還包括沉積許多Pd毫微粒子用作所述形核層的步驟。

19．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法，其中所述銅座表面在從包括硅晶片、硅-鍺晶片與絕緣硅片的組中選擇的襯底上提供。

20．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法還包括步驟：

將銅座表面所坐落的晶片切割成各個IC芯片；與

在銅座表面上形成引線鍵合。

21．根據權利要求1的制備用于電連接的銅座表面的方法還包括步驟：

將銅座表面所坐落的晶片切割成許多IC芯片；與

在所述銅座表面上形成用于進行電連接的釬焊凸塊。