[發明專利]近場光盤片

無效

• 申請號: 01104297.4
• 申請日: 2001-03-22
• 公開（公告）號: CN1377035A
• 公開（公告）日: 2002-10-30
• 發明（設計）人: 羅士哲;林熙翔;王鴻年
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛

本發明提供了一種近場光盤片(near-field?optical?disk)，包括一適當厚度的近場層(near-field?layer)與一鹵化銀類化合物(silverhalide，AgX)的第二光散射層(light?scattering?layer)，使該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高密度的記錄密度。

一般常用的儲存裝置有很多，但均有容量太小、容易故障、不易攜帶與流通性差等缺點，而光盤片可解決上述的缺點，尤其是在燒錄軟件與低價燒錄機大行其道后，加速可燒錄式光盤片的流行。

雖然一般的光盤片容量已達640Mb以上，但因數字影音圖像數據與功能完備的軟件均需要大量的儲存空間，故仍希望藉由提高光盤片的儲存容量，使單一光盤片中可以容納更多資料。

光盤片的資料儲存能力取決于記錄密度的大小，要提高光盤片的容量需提高其記錄密度，但在遠場原理下要進一步提高記錄密度會因光波繞射的限制而無法達成，故需改用近場的原理進行燒錄，以得到較高的記錄密度。

如圖1所示，是現有技術的一般光盤片結構的剖視圖，現有技術的一般光盤片11是在一聚碳酸酯(polycarbonate)的基底層(substrate)2上依序形成一含花青色素類的化合物(merocyaninedye)的記錄層(recording?layer)3、一可選擇金、銀、鋁或銅鉻合金的反射層(reflex?layer)4與一紫外線樹脂(lacquer)的保護層(protection?layer)5，燒錄時所使用的穿透光束穿過反射層4到達記錄層3，以穿透光束的熱量使記錄層3中的花青色素類產生變化進行記錄。

如圖2所示，現有技術的近場光盤片12結構的剖視圖，現有技術的近場光盤片是在一聚基底層2上依序形成一記錄層3、一含硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)的近場層6、一含氧化銀(silveroxide，AgOx)的第一光散射層71與一含硫化鋅-二氧化硅的保護層8。

如圖3所示，是現有技術的近場光盤片第一光散射層的反應式，利用光束加熱將含氧化銀的第一光散射層71中氧與銀間的鍵結打斷，產生銀原子，待熱能移除后，氧與銀即可重新回復鍵結，產生一個熱致動光開關。該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高的記錄密度。

現有技術中的近場光盤片是使用加熱方式打斷氧化銀中氧與銀間的鍵結，但因氧化銀中氧與銀的間鍵能高，故使用功率較高的光束，以產生較高的能量，因此會產生較高的溫度。

上述現有技術中，近場光盤片的第一光散射層與記錄層均以加熱為其作用方式，所以穿透光束與第一光散射層的氧化銀作用后，部份能量已先被氧化銀吸收，因此，傳遞至記錄層時很容易因為熱能不夠造成燒錄失敗。

本發明的主要目的，在于解決上述的缺陷，避免上述缺陷的存在，本發明是提供一種近場光盤片，在光盤片進行燒錄時無需使用高功率的光束，因此可大量減少能量消耗。

本發明的又一目的，是提供一種近場光盤片，光散射層無需利用散熱即可使銀原子與鹵素原子重新鍵結。

本發明的又一目的，是提供一種近場光盤片，光散射層是以光作用，故讀寫速度較快。

本發明的又一目的，是提供一種近場光盤片，光散射層與記錄層的作用不會互相干擾。

為達上述的目的，本發明是于一基底層上依序形成一記錄層、一適當厚度的近場層、一鹵化銀類化合物的第二光散射層與一保護層，該適當厚度的近場層與該鹵化銀類化合物的第二光散射層，使該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高的記錄密度。

本發明提供了一種近場光盤片，該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高的記錄密度。

圖1是現有技術的一般光盤片結構的剖視圖。

圖2是現有技術的近場光盤片結構的剖視圖。

圖3是現有技術的近場光盤片第一光散射層的反應式。

圖4-1，圖4-2，圖4-3，圖4-4，圖4-5，是本發明的近場光盤片結構各制備過程的剖視圖。

圖5是本發明的近場光盤片第二光散射層的反應式。

圖6是雙光束的穿透光束的示意圖。

圖7是單光束的穿透光束的示意圖。