[發(fā)明專利]一種基于氧化鋅的諧振器的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01103234.0
• 申請日: 2001-02-07
• 公開（公告）號: CN1310517A
• 公開（公告）日: 2001-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 格倫·羅伯特·科瓦奇
• 申請（專利權(quán)）人: 朗迅科技公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/15
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所
• 代理人: 王以平

1．一種制造諧振器的方法，包括以下步驟：

提供襯底基底；

在襯底基底上形成黏附層；

在黏附層上形成形核促進膜，形核促進模是非氧化性的；

在形核促進膜上形成氧化鋅晶體層；和

在氧化鋅晶體層上形成傳導(dǎo)層。

2．根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)明，其中襯底基底包含一個空隙。

3．根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)明，其中形核促進膜包含Pt。

4．根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)明，其中黏附層包含至少一個通過使用Ar等離子體的濺射步驟形成的Ti和Cr。

5．根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)明，其中形成形核促進膜的步驟包含用Ar等離子體濺射Pt的步驟。

6．根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)明，其中形成氧化鋅晶體層的步驟包括利用包含Ar和O₂的等離子體的反應(yīng)性濺射的步驟。

7．一種制造諧振器的方法，包括以下步驟：

提供諧振器襯底基底；

在諧振器襯底基底上形成黏附層；

在黏附層上形成Pt形核促進膜；

在Pt形核促進膜上反應(yīng)性濺射氧化鋅壓電層；和

在氧化鋅層上形成頂部電極。

8．根據(jù)權(quán)利要求7的發(fā)明，其中襯底包含一個空隙。

9．根據(jù)權(quán)利要求7的發(fā)明，其中黏附層包含至少一個通過使用Ar等離子體的濺射步驟形成的Ti和Cr。

10．根據(jù)權(quán)利要求7的發(fā)明，其中形成Pt形核促進膜的步驟包含用Ar等離子體濺射的步驟。

11．根據(jù)權(quán)利要求7的發(fā)明，其中反應(yīng)性濺射氧化鋅層的步驟應(yīng)用包含Ar和O₂的等離子體。

12．根據(jù)權(quán)利要求7的發(fā)明，其中反應(yīng)性濺射氧化鋅層的步驟在旋轉(zhuǎn)襯底基底時實現(xiàn)。

13．一種諧振器，包括：

諧振器襯底基底；

在諧振器襯底基底上形成的黏附層；

在黏附層上形成的形核促進膜，該形核促進膜包含Pt；

在形核促進膜上形成的氧化鋅晶體層；和

在氧化鋅晶體層上形成的頂部電極。

14．根據(jù)權(quán)利要求13的發(fā)明，其中襯底包含空隙。

15．根據(jù)權(quán)利要求13的發(fā)明，其中黏附層包含至少一種Ti和Cr。

16．根據(jù)權(quán)利要求13的發(fā)明，其中形核促進膜包含Pt。

17．一種織構(gòu)性晶體結(jié)構(gòu)，包含：

織構(gòu)性氧化鋅層；和

用來促進結(jié)構(gòu)化氧化鋅層形成的形核促進膜，該形核促進膜包含Pt。

18．根據(jù)權(quán)利要求17的織構(gòu)性晶體結(jié)構(gòu)，其中形核促進膜包含<111>取向。

19．一種電子裝置，包括：

天線，其至少用于接收或發(fā)射至少一種信號；

至少濾掉一種信號的濾波器；

至少放大一種信號的放大器；和

具有一個振蕩器的用來混頻至少一種信號的混頻器，該振蕩器有一個諧振器，其包括：

諧振器襯底基底；

在諧振器襯底基底上形成的黏附層；

在黏附層上形成的形核促進膜，該形核促進膜包含Pt；

在形核促進膜上形成的氧化鋅晶體層；和

在氧化鋅晶體層上形成的頂部電極。

20．根據(jù)權(quán)利要求19的電子裝置，其中形核促進膜包含一個<111>取向。