[發明專利]拋光組合物

有效

• 申請號: 01103203.0
• 申請日: 2001-02-02
• 公開（公告）號: CN1307079A
• 公開（公告）日: 2001-08-08
• 發明（設計）人: 萩原敏也;內藤宏一;藤井滋夫
• 申請（專利權）人: 花王株式會社
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 白益華

1．一種拋光組合物，它含有氧化硅顆粒、水和聚氨基羧酸的鐵鹽和/或鋁鹽。

2．如權利要求1所述的拋光組合物，它還含有無機酸和/或有機酸。

3．如權利要求1所述的拋光組合物，其中所述的氧化硅顆粒具有這樣的粒徑分布：D90與D50的比率(D90/D50)為1.3-3.0，而且D50為10-600納米，其中D90定義為累積粒徑分布中在數目基礎上從小粒徑-側計數至90％的粒徑，D50定義為累積粒徑分布中在數目基礎上從小粒徑一側計數至50％的粒徑。

4．如權利要求3所述的拋光組合物，其中所述的氧化硅顆粒具有這樣的粒徑分布，D10是5-100納米，其中D10定義為累積粒徑分布中在數目基礎上從小粒徑一側計數至10％的粒徑。

5．如權利要求1所述的拋光組合物，其中所述的氧化硅顆粒含有兩種或更多種D50彼此不同的氧化硅顆粒，其中D50L與D50S的比率(D50L/D50S)為1.1-4.0,A與B的重量比(A/B)為90/10-10/90，其中D50定義為累積粒徑分布中在數目基礎上從小粒徑一側計數至50％的粒徑，D50L是指具有最大D50的那種氧化硅顆粒(B)的D50,D50S是指具有最小D50的那種氧化硅顆粒(A)的D50。

6．如權利要求1所述的拋光組合物，其中所述的氧化硅顆粒具有這樣的粒徑分布：累積粒徑分布中在數目基礎上從小粒徑一側計數至40納米粒徑的百分率為25％或更小，其中D50為50-600納米，其中所述的D50定義為累積粒徑分布中在數目基礎上從小粒徑一側計數至50％的粒徑。

7．如權利要求1所述的拋光組合物適合用來拋光磁盤基片。

8．一種拋光方法，它包括使用權利要求1所述的拋光組合物。

9．一種制造磁盤基片的方法，它包括用權利要求1所述的拋光組合物拋光基片的步驟。

10．一種使用權利要求1所述的拋光組合物制得的磁盤基片。