[發(fā)明專利]集成電路器件的形成方法及由該方法形成的集成電路器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 01101676.0
• 申請(qǐng)日: 2001-01-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1314707A
• 公開(kāi)（公告）日: 2001-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李宰求;高寬協(xié)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/28;H01L23/52
• 代理公司: 柳沈知識(shí)產(chǎn)權(quán)律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1．一種形成集成電路器件的方法，包括以下步驟：

在襯底上形成一對(duì)互連圖形，襯底具有設(shè)置在成對(duì)互連圖形之間的半導(dǎo)體區(qū)；

在成對(duì)互連圖形和襯底上形成腐蝕中止層；然后

在成對(duì)互連圖形和半導(dǎo)體區(qū)上形成包括第一材料的犧牲絕緣層；

選擇性地腐蝕犧牲絕緣層以露出在成對(duì)互連圖形表面上延伸的部分腐蝕中止層；

在成對(duì)互連圖形和覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的犧牲絕緣層的一部分之間的間隙區(qū)上部中形成包括第二材料并在成對(duì)互連圖形的側(cè)壁部分上延伸的側(cè)壁絕緣間隔層；和

使用側(cè)壁絕緣間隔層作為腐蝕掩模，選擇性地腐蝕覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的部分犧牲絕緣層，以形成側(cè)壁絕緣間隔層下面的凹槽。

2．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：

腐蝕腐蝕中止層的一部分，該部分通過(guò)從半導(dǎo)體區(qū)的表面上選擇性地腐蝕覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的部分犧牲絕緣層以在側(cè)壁絕緣間隔層下面形成凹槽的部分腐蝕中止層的步驟而露出；和

在成對(duì)互連圖形之間形成導(dǎo)電焊盤，從而導(dǎo)電焊盤接合半導(dǎo)體區(qū)。

3．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，選擇性地腐蝕覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的部分犧牲絕緣層以形成側(cè)壁絕緣間隔層下面的凹槽的步驟包括：

選擇性地腐蝕覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的部分犧牲絕緣層以形成側(cè)壁絕緣間隔層下面的凹槽，同時(shí)保留側(cè)壁絕緣間隔層和襯底之間的間隙區(qū)下部的成對(duì)互連圖形的側(cè)壁部分上的犧牲絕緣層。

4．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，選擇性地腐蝕覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的部分犧牲絕緣層以形成側(cè)壁絕緣間隔層下面凹槽的步驟包括：

選擇性地腐蝕覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的部分犧牲絕緣層以形成側(cè)壁絕緣間隔層下面的凹槽，從而從側(cè)壁絕緣間隔層和襯底之間的間隙區(qū)下部中的成對(duì)互連圖形的側(cè)壁部分上除去犧牲絕緣層。

5．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，腐蝕中止層具有約200到約1000的厚度。

6．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，腐蝕中止層由第二材料構(gòu)成。

7．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第二材料包括氮化硅(SiN)。

8．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一材料包括選自下列材料組中的材料：高密度等離子體(HDP)氧化物、等離子體增強(qiáng)的原硅酸四乙脂(PE-TEOS)以及未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)。

9．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在小于約800℃的溫度下進(jìn)行形成犧牲絕緣層的步驟。

10．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，選擇性地腐蝕犧牲絕緣層以露出在成對(duì)互連圖形表面上延伸的部分腐蝕中止層的步驟包括：

各向同性地腐蝕犧牲絕緣層以露出在成對(duì)互連圖形表面上延伸的部分腐蝕中止層。

11．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，選擇性地腐蝕覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的部分犧牲絕緣層以形成側(cè)壁絕緣間隔層下面的凹槽的步驟包括：

各向異性地腐蝕覆蓋半導(dǎo)體區(qū)的部分犧牲絕緣層以形成側(cè)壁絕緣間隔層下面的凹槽。

12．一種形成集成電路器件的方法，包括以下步驟：

在襯底中形成隔離層以形成存儲(chǔ)單元區(qū)和周邊電路區(qū)；

在存儲(chǔ)單元區(qū)中的襯底上形成一對(duì)字線圖形；

在周邊電路區(qū)中形成柵極圖形；

在成對(duì)字線圖形之間形成犧牲絕緣層，從而基本上填充了成對(duì)字線圖形之間的間隙；

腐蝕犧牲絕緣層，從而犧牲絕緣層填充鄰近襯底的成對(duì)字線圖形之間的間隙區(qū)下部；和

在存儲(chǔ)單元區(qū)和周邊電路區(qū)上形成層間絕緣層，從而從層間絕緣層的上表面到存儲(chǔ)單元區(qū)中的襯底表面的距離大于從層間絕緣層的上表面到周邊電路區(qū)中的襯底的距離。

13．如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：

從存儲(chǔ)單元區(qū)腐蝕層間絕緣層；

腐蝕犧牲絕緣層以露出字線圖形之間的襯底；

在存儲(chǔ)單元區(qū)和周邊電路區(qū)上形成導(dǎo)電層，從而從導(dǎo)電層的上表面到存儲(chǔ)單元區(qū)中的襯底表面的距離大于從導(dǎo)電層的上表面到周邊電路區(qū)中的襯底表面的距離。