[發明專利]固態成像設備及其激勵方法無效
| 申請號: | 01101278.1 | 申請日: | 2001-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN1304178A | 公開(公告)日: | 2001-07-18 |
| 發明(設計)人: | 三井田高 | 申請(專利權)人: | 伊諾太科株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 設備 及其 激勵 方法 | ||
1.一種固態成像設備,包括:
(ⅰ)一個單位像素,具有
(a)一個光電二極管,以及
(b)一個用于光學信號檢測的絕緣柵場效應晶體管,它與光電二極管相鄰放置,而且設有一個高密度埋層用于存儲在光電二極管中生成的光照生成電荷,高密度埋層設在柵極下一個阱區內的源區附近;
(ⅱ)一個縱向掃描信號驅動掃描電路,用于輸出一個掃描信號到柵極;以及
(ⅲ)一個升壓掃描電路,用于輸出一個升壓到源區。
2.一種固態成像設備,包括:
(ⅰ)一個單位像素,具有
(a)一個光電二極管,以及
(b)一個與光電二極管相鄰放置的用于光學信號檢測的絕緣柵場效應晶體管,它設有:
(1)一個第一電導型的阱區;
(2)一個在阱區表面層上形成的第二電導型的源區,
(3)一個在阱區表面層上形成的第二電導型的漏區,
(4)源區和漏區之間的一個溝道區,
(5)在溝道區的柵絕緣膜上形成的一個柵極,
(6)一個高密度埋層,用于存儲在光電二極管中光照生成的電荷,高密度埋層設在柵極下一個阱區內的源區附近;
(ⅱ)一個漏電壓驅動掃描電路,用于提供一個漏電壓到漏區;
(ⅲ)一個縱向掃描信號驅動掃描電路,用于輸出一個掃描信號到柵極;以及
(ⅳ)一個升壓掃描電路,用于輸出一個升壓到源區。
3.根據權利要求2的固態成像設備,其中絕緣柵場效應晶體管的柵極為環型,源區在由柵極環繞的阱區的表面層上形成,漏區在阱區的表面層上形成,以便環繞柵極。
4.根據權利要求2的固態成像設備,其中高密度埋層在溝道長度方向的部分區域,以及溝道寬度方向的整個區域形成。
5.根據權利要求2的固態成像設備,還包括:
一個信號輸出電路,記錄對應于存儲在高密度埋層中的光照生成電荷量的源電壓,而且輸出一個對應于源電壓的光信號;以及
一個水平掃描信號輸入掃描電路,用于提供一個掃描信號,控制一個輸出光信號的定時。
6.一種固態成像設備的激勵方法,包括步驟:
(ⅰ)配備固態成像設備,包括:
(a)一個單位像素,具有
(1)一個光電二極管,以及
(2)一個用于光學信號檢測的絕緣柵場效應晶體管,它與光電二極管相鄰放置,而且設有一個高密度埋層用于存儲在光電二極管中光照生成的電荷,高密度埋層設在柵極下一個阱區內的源區附近;
(b)一個縱向掃描信號驅動掃描電路,用于輸出一個掃描信號到柵極;以及
(c)一個升壓掃描電路,用于輸出一個升壓到源區;
(ⅱ)用光輻照光電二極管,以在阱區生成光照生成的電荷;
(ⅲ)傳輸光照生成的電荷到高密度埋層,以將光照生成的電荷存儲在高密度埋層;
(ⅳ)檢測絕緣柵場效應晶體管的閾電壓的一個改變量,它隨存儲的光照生成電荷的數量改變;
(ⅴ)從升壓掃描電路輸出該升壓;
(ⅵ)在柵極從縱向掃描信號供應線被切斷的狀態下,將該升壓施加到絕緣柵場效應晶體管的源區,從而該升壓通過源區和柵極之間的一個電容被施加到柵極;
(ⅶ)通過由該升壓增高的源電壓和柵電壓,清除高密度埋層中存儲的光照生成的電荷;以及
(ⅷ)重復步驟(ⅱ)至(ⅶ)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





