[發(fā)明專利]半導體襯底及其生產工藝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 01101254.4
• 申請日: 2001-01-05
• 公開（公告）號: CN1314701A
• 公開（公告）日: 2001-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 坂口清文
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L27/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1．一種包含半導體層的半導體襯底，半導體層形成在支撐襯底上，半導體層和支撐襯底之間插入絕緣層，其中標記形成在半導體層表面區(qū)域以外的區(qū)域上。

2．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中標記是從數(shù)字、字符、符號和條形碼組成的組中選擇的至少一個。

3．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中將被標記的區(qū)域是不存在半導體層的支撐襯底的周邊區(qū)域。

4．根據(jù)權利要求3的半導體襯底，其中周邊區(qū)域的外部邊界線是支撐襯底的外周邊緣，周邊區(qū)域的內部邊界線在從支撐襯底外周邊緣向內1mm或1mm以上的位置上。

5．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中將被標記的區(qū)域是支撐襯底的內部區(qū)域，那里半導體層局部不存在。

6．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中將被標記的區(qū)域在支撐襯底的背面?zhèn)取?/p>

7．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中標記形成在槽口或定位平面附近。

8．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中標記通過生成凹部和/或凸部形成。

9．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中標記通過激光形成。

10．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中標記通過雕刻表面形成。

11．根據(jù)權利要求1的半導體襯底，其中半導體襯底是SOI襯底。

12．根據(jù)權利要求11的半導體襯底，其中SOI襯底是鍵合SOI襯底。

13．根據(jù)權利要求12的半導體襯底，其中鍵合SOI襯底具有在通過注入氫和/或惰性氣體形成的離子注入層處分離的半導體層。

14．根據(jù)權利要求12的半導體襯底，其中鍵合的SOI襯底具有通過將形成在多孔材料上的無孔半導體層轉移到支撐襯底上形成的半導體層。

15．根據(jù)權利要求11的半導體襯底，其中SOI襯底具有通過注入氧和/或氮離子以及熱處理而形成的絕緣層。

16．一種包含半導體層的半導體襯底生產工藝，半導體層形成在支撐襯底上，半導體層和支撐襯底之間插入絕緣層，所述工藝包括在半導體層表面區(qū)域以外的區(qū)域上形成標記的步驟。

17．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中從數(shù)字、字符、符號和條形碼組成的組中選擇至少一個作為標記。

18．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中將被標記的區(qū)域是不存在半導體層的支撐襯底的周邊區(qū)域。

19．根據(jù)權利要求18的半導體襯底生產工藝，其中周邊區(qū)域的外部邊界線是支撐襯底的外周邊緣，周邊區(qū)域的內部邊界線在從支撐襯底外周邊緣向內1mm或1mm以上的位置上。

20．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中將被標記的區(qū)域是半導體層局部不存在的支撐襯底的內部區(qū)域。

21．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中將被標記的區(qū)域是支撐襯底的背面?zhèn)取?/p>

22．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中在槽口或定位平面附近形成標記。

23．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中通過生成凹部和凸部形成標記。

24．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中通過激光形成標記。

25．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中通過雕刻表面形成標記。

26．根據(jù)權利要求16的半導體襯底生產工藝，其中半導體襯底是SOI襯底。

27．根據(jù)權利要求26的半導體襯底生產工藝，其中SOI襯底是鍵合SOI襯底。

28．根據(jù)權利要求27的半導體襯底生產工藝，其中鍵合SOI襯底的形成是這樣的：將氫和/或惰性氣體離子注入第一襯底中，將第一襯底鍵合到作為支撐襯底的第二襯底上，在通過離子注入形成的分離層處從第二襯底上分離第一襯底。

29．根據(jù)權利要求28的半導體襯底生產工藝，其中第一襯底具有通過外延生長形成的半導體層。