[發(fā)明專利]使用超臨界二氧化碳法從襯底上去除光刻膠及殘渣

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00815082.6
• 申請日: 2000-11-01
• 公開（公告）號: CN1384972A
• 公開（公告）日: 2002-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: W·H·穆勒;M·A·比伯格;P·E·施林
• 申請（專利權(quán)）人: 東京威力科創(chuàng)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/306;G03F7/42;B08B7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 盧新華,譚明勝

1.一種處理襯底的方法，它包括下列步驟：

a.保持超臨界二氧化碳和含水氟化物與襯底接觸，所述襯底具有承載選自光刻膠、光刻膠殘渣、蝕刻殘渣和它們的組合的材料的二氧化硅表面，使得含水氟化物從所述材料掏蝕二氧化硅表面，從而使所述材料變成被掏蝕的材料；

b.保持水和超臨界二氧化碳與被掏蝕的材料接觸，使得被掏蝕的材料與二氧化硅表面分離，從而使被掏蝕的材料變成被分離的材料；和

c.從襯底附近去除被分離的材料。

2.權(quán)利要求1的方法，其中，含水氟化物選自含水氟化銨、氫氟酸和它們的混合物。

3.權(quán)利要求2的方法，其中，所述含水氟化物是含水氟化銨。

4.權(quán)利要求1的方法，其中，從襯底附近去除被分離的材料的步驟包括使超臨界二氧化碳流過所述襯底。

5.權(quán)利要求1的方法，它還包括使用溶劑至少部分溶解被掏蝕材料的步驟。

6.權(quán)利要求5的方法，其中，所述溶劑選自BLO、DMSO、醋酸、EC、DMAC、NMP和它們的混合物。

7.權(quán)利要求6的方法，其中，所述溶劑選自BLO、DMSO、醋酸、EC和它們的混合物。

8.權(quán)利要求7的方法，其中，所述溶劑是BLO。

9.權(quán)利要求1的方法，它還包括使用溶劑至少部分溶解被分離材料的步驟。

10.權(quán)利要求9的方法，其中，所述溶劑選自BLO、DMSO、醋酸、EC、DMAC、NMP和它們的混合物。

11.權(quán)利要求10的方法，其中，所述溶劑選自BLO、DMSO、醋酸、EC和它們的混合物。

12.權(quán)利要求11的方法，其中，所述溶劑是BLO。

13.權(quán)利要求1的方法，它還包括用超臨界二氧化碳和沖洗劑沖洗襯底的步驟。

14.權(quán)力要求13的方法，其中，所述沖洗劑包含水。

15.權(quán)利要求13的方法，其中，所述沖洗劑包含醇。

16.權(quán)利要求15的方法，其中，所述醇包括乙醇。

17.權(quán)利要求13的方法，其中，所述沖洗劑包含丙酮。

18.權(quán)利要求1的方法，其中，所述襯底包括低介電常數(shù)材料。

19.權(quán)利要求18的方法，其中，所述低介電常數(shù)材料包括旋壓聚合物。

20.權(quán)利要求18的方法，其中，所述低介電常數(shù)材料包括C-SiO₂材料。

21.一種從二氧化硅表面去除材料的方法，所述材料選自光刻膠、光刻膠殘渣、蝕刻殘渣和它們的組合物，該方法包括下列步驟：

a.保持超臨界二氧化碳和含水氟化物與所述材料和二氧化硅表面接觸，使得含水氟化物從所述材料掏蝕二氧化硅表面；

b.保持水和超臨界二氧化碳與所述材料接觸，使得所述材料從二氧化硅表面分離；和

c.從二氧化硅表面附近去除所述材料。

22.一種處理襯底的方法，它包括下列步驟：

a.保持超臨界二氧化碳、胺和溶劑與襯底表面上的材料接觸，所述材料選自光刻膠、光刻膠殘渣、蝕刻殘渣和它們的混合物，使得所述胺和所述溶劑至少部分溶解所述材料；和

b.從所述襯底附近去除所述材料。

23.權(quán)利要求2?2的方法，其中，所述胺包括仲胺。

24.權(quán)利要求2?2的方法，其中，所述胺包括叔胺。

25.權(quán)利要求24的方法，其中，所述叔胺選自2-甲基氨基乙醇、PMDETA、三乙醇胺、三乙胺和它們的混合物。

26.權(quán)利要求25的方法，其中，所述胺選自2-甲基氨基乙醇、PMDETA、三乙醇胺和它們的混合物。

27.權(quán)利要求22的方法，其中，所述溶劑選自DMSO、EC、NMP、乙酰基丙酮、BLO、醋酸、DMAC、PC和它們的混合物。

28.權(quán)利要求22的方法，其中，所述胺選自仲胺、叔胺、二異丙胺、三異丙胺、二乙二醇胺和它們的混合物。