[發明專利]氣敏元件及其制造方法

無效

• 申請號: 00814534.2
• 申請日: 2000-10-17
• 公開（公告）號: CN1379731A
• 公開（公告）日: 2002-11-13
• 發明（設計）人: 李源培;李昊駿
• 申請（專利權）人: 世主安吉尼爾林株式會社;世主實業株式會社
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G01N27/12
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 武玉琴

1.一種氣敏元件，包括：

硅基片，它設有通過以預定深度形成圖案而形成的凹槽；

形成在除了所述凹槽之外的硅基片的頂部上的絕緣層；

第一形成圖案的導電層，它越過凹槽并且固定在絕緣層上，從而與硅基片電絕緣；

第二形成圖案的導電層，它越過凹槽并且固定在絕緣層上，從而與硅基片和所述第一形成圖案的導電層電絕緣；

形成在第一和第二形成圖案的導電層的預定部分上的氣體探測部分。

2.如權利要求1所述的氣敏元件，其中所述第一形成圖案的導電層用來向氣體探測部分提供熱量。

3.如權利要求2所述的氣敏元件，其中所述第二形成圖案的導電層用作讀出線，用來根據氣體狀態來探測出氣體探測部分的變化。

4.如權利要求3所述的氣敏元件，其中所述第一形成圖案的導電層覆蓋所述第二形成圖案的導電層。

5.如權利要求1所述的氣敏元件，其中所述硅基片具有<100>的晶體取向。

6.如權利要求1所述的氣敏元件，其中所述第一和第二形成圖案的導電層還包括一對金屬片以與外部電路電連接。

7.如權利要求6所述的氣敏元件，其中所述第一和第二形成圖案的導電層由從鉑(Pt)、摻有金(Au)或鈀(Pd)的鎳(Ni)以及摻有硼(B)的多晶硅組成的組中選出的材料制成。

8.如權利要求1所述的氣敏元件，其中所述第一和第二形成圖案的導電層形成為平行的直線形狀，或者形成為第二形成圖案的導電層插進所述第一形成圖案的導電層的凹形空間中的形狀，或者形成為第二形成圖案的導電層插進所述第一形成圖案的導電層的一個凹形空間或兩個凹形空間的形狀。

9.如權利要求1所述的氣敏元件，其中絕緣層由從二氧化硅、氮化硅和碳化硅組成的組中選出的材料制成。

10.一種制造氣敏元件的方法，該方法包括以下步驟：

a)在硅基片上形成絕緣層；

b)通過使一部分絕緣層形成圖案來形成窗口；

c)在由窗口暴露出的硅基片和絕緣層上形成第一和第二金屬圖案；

d)通過將硅基片浸到堿性水溶液中以使暴露到窗口的基片形成圖案并且形成窗口形狀的凹槽，從而使第一和第二金屬圖案與硅基片分開；并且

e)在形成在所述凹槽上面的第一和第二金屬圖案的預定部分上形成氣體探測部分。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述硅基片具有<100>晶體取向。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述絕緣層由從二氧化硅、氮化硅和碳化硅組成的組中選出的材料制成。

13.如權利要求10所述的方法，其中第一和第二形成圖案的導電層由從鉑(Pt)、摻有金(Au)或鈀(Pd)的鎳(Ni)以及摻有硼(B)的多晶硅組成的組中選出的材料制成。

14.如權利要求10所述的方法，其中所述第一形成圖案的導電層與所述第二形成圖案的導電層電絕緣。

15.如權利要求10所述的方法，其中堿性水溶液是氫氧化鉀K溶液或乙二胺和鄰苯二酚的混合溶液。