[發明專利]帶有介電移相器的串行饋送相控陣天線

無效

• 申請號: 00812825.1
• 申請日: 2000-09-13
• 公開（公告）號: CN1373916A
• 公開（公告）日: 2002-10-09
• 發明（設計）人: 朱永飛;路易絲·C·森古帕塔;安德瑞·科茲瑞夫;張旭佰
• 申請（專利權）人: 帕拉泰克微波公司
• 主分類號: H01Q3/36
• 分類號: H01Q3/36;H01Q21/06;H01P1/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 馮譜

1.一種相控陣天線，包括：

多個輻射元件；

一個饋電線組件；

一個接地平面，定位在該多個輻射元件和饋電線組件之間，所述接地平面帶有定位在多個輻射元件與饋電線組件之間的多個開口；及

多個電壓可調諧介電移相器，耦合到所述饋電線組件上。

2.根據權利要求1所述的相控陣天線，其中多個電壓可調諧介電移相器的每一個包括：

一個基片；

一個可調諧介電膜，具有在70至600之間的介電常數、20至60％的調諧范圍、及在K和Ka頻帶下在0.008至0.03之間的損失角正切，可調諧介電膜定位在基片的一個表面上；

一個共面波導管，定位在相對著基片的可調諧介電膜的一個表面上；

一個輸入，用來把射頻信號耦合到導電帶條上；

一個輸出，用來從導電帶條接收射頻信號；及

一個連接，用來把一個控制電壓施加到可調諧介電膜上。

3.根據權利要求2所述的相控陣天線，其中高介電常數電壓可調諧介電膜包括一種鋇鍶鈦酸鹽合成物。

4.根據權利要求2所述的相控陣天線，進一步包括：

耦合到所述輸入上的所述共面波導管的一個第一阻抗匹配部分；和

耦合到所述輸出上的所述共面波導管的一個第二阻抗匹配部分。

5.根據權利要求4所述的相控陣天線，其中第一阻抗匹配部分包括一個第一錐形共面波導管部分；并且

其中第二阻抗匹配部分包括一個第二錐形共面波導管部分。

6.根據權利要求2所述的相控陣天線，其中用來把一個控制電壓施加到可調諧介電膜上的連接包括：

一個第一電極，位于相鄰所述導電帶條的一個第一側，以在第一電極與導電帶條之間形成一個第一間隙；和

一個第二電極，位于相鄰所述導電帶條的一個第二側，以在第二電極與導電帶條之間形成一個第二間隙。

7.根據權利要求6所述的相控陣天線，進一步包括：

一個第三電極，位于相鄶相對著所述導電帶條的所述第一電極的一個第一側，以在第一電極與第三電極之間形成一個第三間隙；和

一個第四電極，位于相鄰相對著所述導電帶條的所述第二電極的一個第一側，以在第二電極與第四電極之間形成一個第四間隙。

8.根據權利要求6所述的相控陣天線，進一步包括：

一個導電拱頂，電氣連接在第一與第二電極之間。

9.根據權利要求2所述的相控陣天線，其中基片由如下之一組成：

MgO、LaAlO₃、藍寶石、Al₂O₃、及一種陶瓷。

10.根據權利要求2所述的相控陣天線，其中基片具有小于25的介電常數。

11.根據權利要求2所述的相控陣天線，其中可調諧介電膜具有大于300的介電常數。

12.根據權利要求2所述的相控陣天線，進一步包括：

一個導電殼體，覆蓋移相器。

13.根據權利要求2所述的相控陣天線，其中可調諧介電膜包括如下組之一：

鋇鍶鈦酸鹽(Ba_xSr_l-xTiO₃、BSTO，其中x小于l)、BSTO-MgO、BSTO-MgAl₂O₄、BSTO-CaTiO₃、BSTO-MgTiO₃、BSTO-MgSrZrTiO₆、及其組合。

14.根據權利要求1所述的相控陣天線，其中：?

所述開口是細長的；并且

所述開口的正交對相鄰所述輻射元件的每一個定位。

15.根據權利要求14所述的相控陣天線，其中所述饋電線組件包括：

一個第一微波帶狀線路和多個輔助微波帶狀線路，其中所述多個輔助微波帶狀線路的每一個垂直地從所述第一微波帶狀線路延伸，并且相鄰所述開口的所述對之一布置。