[發(fā)明專利]具有減輕的擊穿現(xiàn)象的溝道型雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00812811.1
• 申請(qǐng)日: 2000-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN1384973A
• 公開（公告）日: 2002-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石甫淵;蘇根政
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通用半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 谷惠敏,袁炳澤

1.一種形成溝道型DMOS晶體管元件的方法，包括以下步驟：

提供一第一導(dǎo)電類型的襯底；

在襯底上形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；

形成至少限定一個(gè)溝道的掩模層；

形成掩模所限定的溝道，所述溝道穿過體區(qū)和襯底延伸；

沿著溝道形成絕緣層；

在溝道中形成覆蓋在絕緣層上的導(dǎo)電電極；

在體區(qū)中鄰近溝道的地方形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；并且

其中形成溝道的步驟包括蝕刻溝道的步驟和在去除限定溝道的掩模前利用犧牲氧化物層使溝道的側(cè)壁平滑的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成體區(qū)的步驟包括將摻雜劑注入和擴(kuò)散到襯底中的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成溝道的步驟包括覆蓋在體區(qū)上形成構(gòu)圖的掩模層的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成溝道后，去除犧牲氧化物層和構(gòu)圖的掩模層的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沿溝道形成絕緣層的步驟包括在溝道中淀積氧化物層的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成導(dǎo)電電極的步驟包括覆蓋絕緣層在溝道中淀積多晶硅的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中多晶硅包括摻雜材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中淀積多晶硅的步驟包括淀積一層未摻雜的多晶硅，然后再淀積一層摻雜的多晶硅的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成源區(qū)的步驟包括淀積構(gòu)圖的掩模層和將摻雜劑注入和摻雜到體區(qū)的步驟。

10.一種形成溝道型DMOS晶體管元件的方法，包括以下步驟：

提供一第一導(dǎo)電類型的襯底；

在襯底上形成第二導(dǎo)電類型的體區(qū)；

形成至少限定一個(gè)溝道的掩模層；

形成掩模所限定的溝道，所述溝道穿過體區(qū)和襯底延伸；

沿著溝道形成絕緣層；

覆蓋絕緣層在溝道中形成多晶硅導(dǎo)電電極；

在與溝道相鄰的體區(qū)中形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；

其中形成多晶硅導(dǎo)電電極的步驟包括淀積一層未摻雜的多晶硅，然后淀積一層摻雜的多晶硅的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成體區(qū)的步驟包括將摻雜劑注入和擴(kuò)散到襯底中的步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成溝道的步驟包括覆蓋在體區(qū)上形成構(gòu)圖的掩模層的步驟。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在形成溝道后，去除犧牲氧化物層和構(gòu)圖的掩模層的步驟。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中沿溝道形成絕緣層的步驟包括在溝道中淀積氧化物層的步驟。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成溝道的步驟包括蝕刻溝道并且在去除限定溝道的掩模層之前利用犧牲氧化物層使溝道的側(cè)壁平滑的步驟。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成源區(qū)的步驟包括淀積構(gòu)圖的掩模層和將摻雜劑注入并擴(kuò)散到體區(qū)的步驟。

17.一種溝道型DMOS晶體管元件，包括：

第一導(dǎo)電類型的襯底；

在襯底上的體區(qū)，所述體區(qū)具有第二導(dǎo)電類型；

至少一個(gè)穿過體區(qū)和襯底延伸的溝道；

沿溝道的絕緣層；

在溝道中覆蓋絕緣層的導(dǎo)電電極，所述導(dǎo)電電極包括摻雜層和未摻雜層；以及

在體區(qū)中與溝道相鄰的第一導(dǎo)電類型的源區(qū)。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的DMOS晶體管元件，其中所述的導(dǎo)電電極包括一層未摻雜的多晶硅和一層摻雜的多晶硅。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的DMOS晶體管元件，還包括淀積在與體區(qū)相反的襯底的表面上的漏極電極。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的DMOS晶體管，其中所述的絕緣層是氧化物層。