[發明專利]在介電基板上形成導電圖案的方法無效
| 申請號: | 00812683.6 | 申請日: | 2000-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN1373817A | 公開(公告)日: | 2002-10-09 |
| 發明(設計)人: | 麥克·古基摩斯;法蘭滋·寇恩里 | 申請(專利權)人: | 艾托特克德國公司 |
| 主分類號: | C23F1/02 | 分類號: | C23F1/02;H05K3/06 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 過曉東 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 介電基板上 形成 導電 圖案 方法 | ||
本發明是關于一種在介電基板上形成導電圖案的方法,該基板覆有金屬膜,優選為銅膜。
過去已經提出許多在電路載體上制造導電圖案的不同方法。在嵌板電鍍法(Panel-Plating-Verfahren)中,首先,按導體結構所需的厚度制造一銅層,該銅層覆蓋鉆孔印刷電路板材料的所有部分;然后,在與欲生成的導體結構相同的印刷電路板外側區域覆蓋一層保護層,使得這些層面在隨后的蝕刻過程中可被保留下來。在圖案電鍍法(Pattern-Plating-Verfahren)中,首先,只在印刷電路板材料上形成一層薄銅層;然后,在其上涂上如光防護層,并通過在那些與欲形成的導體結構相同的位置上進行光建構(Photostructuring)作用,使所述銅層再次外露。在上述銅層外露的區域上涂上一層金屬膜,接著移除光防護層并將外露的銅層蝕刻掉。如果是使用金屬保護法(Metallresist-verfahren),則需涂上如錫/鉛層的金屬保護層作為抗電鍍層。
這些方法卻具有相當的缺點,特別是在其生產條件下,不太可能以再生方式制造出結構寬度小于100μm的導體結構。而為了達到這個目標確實已經做了足夠的嘗試。這種種類的電路已經利用某些昂貴的方法和初始材質而被成功地制造出來,但是當大量生產時卻不會考慮這種方法,因為它們太過昂貴又浪費,和/或需要相當昂貴的初始產物,然而這些方法并不適合用來制造線路的結構寬度小于50μm的電路。
已提出由咪唑或苯并咪唑的衍生物制得的薄層作為替代的抗蝕刻膜。例如,EP?0?178?864?A2中說明了制造印刷電路板的方法,所述板是利用銅予以通孔電鍍,此法包括:首先在銅涂層上,以堿溶性保護劑形成所需的電路圖案,再讓所述板與烷基咪唑的水溶液于外露位置接觸,接著使其干燥,隨后即以堿性蝕刻溶液將外露的銅蝕刻除去,由此而形成抗蝕刻膜。
EP?0?364?132?A1中則提出一種適于形成保護層并可避免失去光澤的溶液,其亦可用作抗蝕刻劑。這種溶液含有具有C5-21烷鏈的咪唑化合物,并另外含有銅或鋅離子。
EP?0?619?333?A2中描述了制造導體結構的方法,其中使用含氮化合物來形成一層抗蝕刻膜。可以使用下列的化合物等作為含氮的化合物:被至少含三個碳原子的烷鏈所取代的咪唑、苯并咪唑、三唑、苯并三唑、吡咯、吡唑、惡唑、異惡唑、噻唑、苯并噻唑、吲哚、腺嘌呤、嘌呤、喹啉、吡嗪、喹唑啉、鳥嘌呤、黃嘌呤、次黃嘌呤、吲唑、肌酸酐、吩嗪、銅鐵靈。為了制造導體結構,首先在堿液中以一種可移除的常規保護劑形成負像,接著在所述板的外露區域上,以含有含氮化合物的抗蝕刻薄膜進行覆蓋,之后再除去所述的負保護層,如此可在蝕刻過程之后形成導體結構。
DE?43?39?019?A1中則敘述了另一種方法,其中使用一種由咪唑和/或苯并咪唑制成的保護層,在這個例子中,所述保護層會只生成于穿孔壁上,且是在當另一層也已經在印刷電路板的外側形成至高達所述穿孔板的邊緣之后形成,這種層狀物可以預防所述保護層在此處形成。如果在這個不同的層面上使用光敏漆,則可利用光構建法來制造導體結構。
DE?37?32?249?A1中描述了一種制造三維印刷電路板的方法,所述法是在絕緣基板之上使用具有影像轉移的消減/半加成技術,其中覆有銅層的基板的所有部分會先以錫-金屬保護層涂覆,這種保護層可以利用無電方式和/或電沉積法而沉積,且所述金屬保護層可利用激光在沒有任何掩模的情況下予以選擇性照射,如此則可以負型方式制造出導電圖案。銅外露的區域可接著以蝕刻法來移除。
DE?41?31?065?A1涉及一種制造印刷電路板的方法,其中是將金屬層以及抗蝕刻膜依次涂到電絕緣基板之上,并在與隨后的線路圖案直接比鄰的區域上,以電磁射線除去所述抗蝕刻膜,而金屬層的外露區域則被往下蝕刻直到基板表面,其方式則在使線路圖案與金屬層的散布區能通過蝕刻洞成為電絕緣區,并殘留在基板之上。抗蝕刻膜最好是利用無電的金屬沉積法形成。在此也采用其他的替代方案,例如可使用有機材質如電沉積涂料。最好使用激光來產生電磁射線,特別是Nd-YAG激光,蝕刻洞的寬度為150μm。在優選為銅層的金屬膜的蝕刻期間,在蝕刻洞的邊緣總可檢測到35μm的下蝕刻(Unteraetzung)區。
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