[發(fā)明專利]質(zhì)子導體及其生產(chǎn)方法和使用該質(zhì)子導體的電化學裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00810556.1 | 申請日: | 2000-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN1361916A | 公開(公告)日: | 2002-07-31 |
| 發(fā)明(設計)人: | 日隈弘一郎;B·皮特扎克;C·羅斯特;阿多誠文 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | H01B1/06 | 分類號: | H01B1/06;H01M8/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 王杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 質(zhì)子 導體 及其 生產(chǎn) 方法 使用 電化學 裝置 | ||
1.一種質(zhì)子導體,包含一種向其中引入質(zhì)子離解基團的主要包含碳的含碳材料。
2.根據(jù)權利要求1的質(zhì)子導體,其中,質(zhì)子在質(zhì)子離解基團之間遷移。
3.根據(jù)權利要求1的質(zhì)子導體,其中,其離子電導率大于其電子電導率。
4.根據(jù)權利要求1的質(zhì)子導體,其中,所述含碳材料主要包含一種作為碳原子聚集體的碳簇。
5.根據(jù)權利要求4的質(zhì)子導體,其中,所述碳簇是一種富勒烯分子。
6.根據(jù)權利要求4的質(zhì)子導體,其中,所述碳簇具有其中至少部分富勒烯結構具有敞開端的結構。
7.根據(jù)權利要求4的質(zhì)子導體,其中,所述碳簇是一種管狀含碳材料。
8.根據(jù)權利要求4的質(zhì)子導體,其中,部分碳簇具有金剛石結構。
9.根據(jù)權利要求1的質(zhì)子導體,其中,所述含碳材料包含結合在一起的碳簇。
10.根據(jù)權利要求1的質(zhì)子導體,其中,所述質(zhì)子離解基團用-XH表示,
其中,X表示具有二價的任何原子或原子團,H表示氫原子。
11.根據(jù)權利要求10的質(zhì)子導體,其中,所述質(zhì)子離解基團用-OH或-YOH
表示,其中,Y是具有二價的任意原子或原子團,O表示氧原子。
12.根據(jù)權利要求11的質(zhì)子導體,其中,所述質(zhì)子離解基團選自由-OH、
-OSO3H、-COOH、-SO3H和-OPO(OH)3組成的組中。
13.根據(jù)權利要求1的質(zhì)子導體,其中,在所述含碳材料中引入質(zhì)子離解基團和電子吸引基團。
14.根據(jù)權利要求13的質(zhì)子導體,其中,所述電子吸引基團選自由硝基、羰基、羧基、腈基、鹵代烷基和鹵素原子組成的組中。
15.根據(jù)權利要求1的質(zhì)子導體,主要由其中引入質(zhì)子離解基團的含碳材料組成。
16.根據(jù)權利要求1的質(zhì)子導體,包含向其中引入質(zhì)子離解基團的含碳材料和聚合物材料。
17.根據(jù)權利要求16的質(zhì)子導體,其中,所述聚合物材料沒有電子導電性。
18.根據(jù)權利要求16的質(zhì)子導體,其中,所述聚合物材料是選自聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯和聚乙烯醇中的至少一種。
19.根據(jù)權利要求16的質(zhì)子導體,包含50重量%或更少的聚合物材料。
20.根據(jù)權利要求16的質(zhì)子導體,其中,所述聚合物材料包含3重量%或更少的聚四氟乙烯。
21.根據(jù)權利要求16的質(zhì)子導體,其中,是一種厚度為300微米或更小的薄膜。
22.一種生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,包括下列步驟:
向主要包含碳的含碳材料中引入質(zhì)子離解基團。
23.根據(jù)權利要求22的生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,其中,制備鹵化的或非鹵化的含碳材料作為原料,使原料經(jīng)過水解、等離子體處理或酸處理,向含碳材料中含有的碳原子中引入質(zhì)子離解基團。
24.根據(jù)權利要求22的生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,其中,所述含碳材料主要含有作為碳原子的聚集體的碳簇。
25.根據(jù)權利要求24的生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,其中,所述碳簇是一種富勒烯分子。
26.根據(jù)權利要求24的生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,其中,所述碳簇具有一種其中至少部分富勒烯結構具有敞開端的結構。
27.根據(jù)權利要求24的生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,其中,所述碳簇是一種管狀含碳材料。
28.根據(jù)權利要求27的生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,其中,將向其中引入質(zhì)子離解基團的所述管狀含碳材料分散在一種液體中并過濾,以便形成一種薄膜。
29.根據(jù)權利要求24的生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,其中,部分碳簇具有金剛石結構。
30.根據(jù)權利要求22的生產(chǎn)質(zhì)子導體的方法,其中,所述含碳材料包含結合在一起的碳簇。
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