[發(fā)明專利]具有低介電常數(shù)的多孔硅石涂層、半導(dǎo)體設(shè)備和涂料組合物有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00810212.0 | 申請(qǐng)日： | 2000-06-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1360559A | 公開（公告）日： | 2002-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 青木倫子;清水泰雄 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東燃杰納爾石油株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C01B33/12 | 分類號(hào)： | C01B33/12;H01L21/312;H01L21/768;C09D183/16;C09D133/00 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 陳季壯 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 介電常數(shù) 多孔 硅石 涂層 半導(dǎo)體設(shè)備 涂料 組合 | ||
1.一種介電常數(shù)低于2.5的多孔硅石涂層，它通過燒制一種包含含鋁的聚硅氮烷和聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯的組合物的涂層而得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的多孔硅石涂層，它即使在23℃的溫度和50％的相對(duì)濕度下在大氣空氣中放置1周之后也保持低于2.5的介電常數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的多孔硅石涂層，其中所述介電常數(shù)為2.1或更低。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的多孔硅石涂層，它的孔徑為0.5-30納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的多孔硅石涂層，其中在所述含鋁的聚硅氮烷中的聚硅氮烷具有一種由以下通式(1)表示的硅氮烷結(jié)構(gòu)：在上式中，R1、R2和R3分別獨(dú)立地表示氫原子、烴基、含烴基的甲硅烷基、含烴基的氨基、或烴氧基，前提是R1和R2中的至少一個(gè)表示氫原子。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的多孔硅石涂層，其中以Si-R1或Si-R2鍵的形式存在的Si的含量為基于該硅石多孔涂層所含Si原子數(shù)的10-100％(原子)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的多孔硅石涂層，其中R1、R2和R3都是氫原子。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的多孔硅石涂層，它基本上沒有Si-N鍵。
9.一種包含根據(jù)權(quán)利要求1的多孔硅石涂層作為中間層電介質(zhì)的半導(dǎo)體設(shè)備。
10.一種在有機(jī)溶劑中包含含鋁的聚硅氮烷和聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯的涂料組合物。
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