[發(fā)明專利]具有多厚度柵極氧化層的槽型半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00810164.7
• 申請日: 2000-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN1360735A
• 公開（公告）日: 2002-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋恩·B·格拉博斯基
• 申請（專利權(quán)）人: 理查德·K·威廉斯;韋恩·B·格拉博斯基
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 李曉舒,魏曉剛

1.一種制造槽型柵極半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供一半導(dǎo)體材料；

將半導(dǎo)體材料放置在反應(yīng)室內(nèi)；

在半導(dǎo)體材料中形成槽；

在該室中產(chǎn)生電介質(zhì)的荷電粒子；

在該反應(yīng)室中建立電場；

在該槽中沉積電介質(zhì)的層；

利用電場將荷電粒子向半導(dǎo)體材料加速，使得電介質(zhì)在該槽底部上比在該槽側(cè)壁上沉積得更厚；以及

在該槽中沉積導(dǎo)體材料以形成柵電極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生荷電粒子包括在反應(yīng)室中在至少兩種氣體之間形成化學(xué)反應(yīng)。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生荷電粒子包括在反應(yīng)室中形成等離子體。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生荷電粒子包括濺射。