[發明專利]在沿<1100>方向切割的基片上生長的碳化硅外延層有效
| 申請號： | 00809431.4 | 申請日： | 2000-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN1164417C | 公開（公告）日： | 2004-09-01 |
| 發明（設計）人： | 巴巴拉·E·蘭迪尼;喬治·R·布蘭德斯;邁克爾·A·蒂施勒 | 申請（專利權）人： | 高級技術材料公司 |
| 主分類號： | B32B7/00 | 分類號： | B32B7/00;B32B9/00;B32B18/00;C03B25/02;C01B31/36 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 林潮;王維玉 |
| 地址： | 美國康*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 1100 方向 切割 基片上 生長 碳化硅 外延 | ||
【權利要求書】：
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