[發明專利]含硅烷改性研磨顆粒的化學機械拋光(CMP)組合物有效
| 申請號: | 00809281.8 | 申請日: | 2000-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN1367809A | 公開(公告)日: | 2002-09-04 |
| 發明(設計)人: | 史蒂文·K·格魯姆賓;克里斯托弗·C·斯特賴恩茲;王淑敏 | 申請(專利權)人: | 卡伯特微電子公司 |
| 主分類號: | C09G1/02 | 分類號: | C09G1/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 巫肖南,封新琴 |
| 地址: | 美國伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅烷 改性 研磨 顆粒 化學 機械拋光 cmp 組合 | ||
1.一種化學機械拋光組合物,該組合物包含分散系,所述的分散系包括至少一種硅烷改性的研磨顆粒,該硅烷改性研磨顆粒為具有至少一種表面金屬氫氧化物的金屬氧化物研磨劑與至少一種具有式:
??????????????????Y-Si-(X1X2R)的硅烷化合物及其二聚物、三聚物和寡聚物的組合產物,其中Y為羥基或可水解的取代基,X1與X2各自獨立地選自羥基,可水解的取代基及不可水解的取代基,且R為不可水解的取代基,其中該不可水解部分各自獨立地選自烷基,環烷基,芳香基,官能化烷基,官能化芳香基,官能化環烷基,烯類,二硅烷及三硅烷,其中一個或多個碳原子可被一個或多個選自氧,氮,硫,磷,鹵素及其組合的原子所取代,其中該硅烷不是氨基硅烷。
2.根據權利要求1的化學機械拋光組合物,其中該分散系包含至少一種選自水,醇及其組合的溶劑。
3.根據權利要求1的化學機械拋光組合物,其中該溶劑為水。
4.根據權利要求3的化學機械拋光組合物,其中該含水分散系的pH為2至11。
5.根據權利要求3的化學機械拋光組合物,其中該含水分散系的pH為5至9。
6.根據權利要求1的化學機械拋光組合物,其中每個X1與X2選自羥基或可水解的取代基。
7.根據權利要求6的化學機械拋光組合物,其中R選自包括烷基及官能化烷基的化合物。
8.根據權利要求6的化學機械拋光組合物,其中該硅烷化合物選自縮水甘油氧基丙基三烷氧基硅烷,異氰酰基丙基三烷氧基硅烷,脲基丙基三烷氧基硅烷,巰基丙基三烷氧基硅烷,氰基乙基三烷氧基硅烷,4,5-二氫-1-(3-三烷氧基甲硅烷基丙基)咪唑,丙酸3-(三烷氧基甲硅烷基)-甲酯,三烷氧基[3-(環氧乙烷基氧基)丙基]-硅烷,2-丙烯酸2-甲基-3-(三烷氧基甲硅烷基)丙酯,[3-(三烷氧基甲硅烷基)丙基]脲,及其混合物。
9.根據權利要求1的化學機械拋光組合物,其中選自X1與X2的一個取代基為不可水解的取代基。
10.根據權利要求9的化學機械拋光組合物,其中R及選自X1與X2的不可水解的取代基各自獨立地選自烷基,官能化烷基及其混合物的化合物。
11.根據權利要求10的化學機械拋光組合物,其中該硅烷選自氯丙基甲基二烷氧基硅烷,1,2-乙二基雙[烷氧基二甲基]硅烷,二烷氧基甲基苯基硅烷,及其混合物。
12.根據權利要求1的化學機械拋光組合物,其中X1與X2每個均為不可水解的部分。
13.根據權利要求12的化學機械拋光組合物,其中R,X1與X2每個均獨立地選自包括烷基及官能化烷基的化合物。
14.根據權利要求13的化學機械拋光組合物,其中該烷基與官能化烷基具有2至25個碳原子。
15.根據權利要求14的化學機械拋光組合物,其中每個不可水解的取代基均為選自烷基腈,烷基酰胺,烷基羧酸,烷基鹵,醇,烷基脲基,及其混合物的官能化烷基。
16.根據權利要求15的化學機械拋光組合物,其中至少一種不可水解的部分為官能化的丙基烷基。
17.根據權利要求12的化學機械拋光組合物,其中該硅烷選自氰基丙基二甲基烷氧基硅烷,N,N′-(烷氧基甲基甲硅亞烷基)雙[N-甲基-苯酰胺],氯甲基二甲基烷氧基硅烷,及其混合物。
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