[發(fā)明專利]使用無機(jī)組合物防止水垢的方法以及由此采用的無機(jī)組合物

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00808976.0
• 申請日: 2000-06-13
• 公開（公告）號(hào): CN1355772A
• 公開（公告）日: 2002-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 凌天風(fēng);米茨·K·法德爾;迪伊·T·恩古因;王向懷;張福山
• 申請（專利權(quán)）人: 赫爾克里士公司
• 主分類號(hào): C02F5/00
• 分類號(hào): C02F5/00;C02F5/08
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 過曉東

1.一種抑制水溶液體系中水垢沉積的方法，包括：向水溶液體系中加入防垢劑以使得水溶液體系中的防垢劑含量最大為約1000ppm，防垢劑至少包含多價(jià)金屬硅酸鹽和多價(jià)金屬碳酸鹽之一，水溶液體系的pH值至少約為9。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑包含一種鋁硅酸鹽骨架。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑包含至少一種功能基團(tuán)，該功能基團(tuán)至少包含羧基、磺酸鹽、硫酸鹽和磷酸鹽其中之一。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑至少包含下列物質(zhì)之一：鈉蒙脫土、硅酸鋁鎂、滑石、水合硅酸鋁鎂、鈣膨潤土、滑石粉、海泡石、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸亞鐵、碳酸錳、碳酸鋅和白云石。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑至少包含下列物質(zhì)之一：硅酸鋁鈉、硅酸鋁鎂、鋰蒙脫石、無定形硅酸鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋅、碳酸亞鐵、碳酸錳。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑包含多價(jià)金屬硅酸鹽以及至少包含下列物質(zhì)之一：鈉蒙脫土、硅酸鋁鎂、滑石、水合硅酸鋁鎂、鈣膨潤土、滑石粉、海泡石、硅酸鋁鈉、鋰蒙脫石和無定形硅酸鎂。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑包含多價(jià)金屬碳酸鹽以及至少包含下列物質(zhì)之一：碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸亞鐵、碳酸錳、白云石和碳酸鋅。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑包含磨碎的碳酸鈣和鈉蒙脫土。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑包含硅酸鋁鎂和鈉蒙脫土。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑包含多價(jià)金屬碳酸鹽，且其中多價(jià)金屬碳酸鹽包括磨碎的碳酸鈣。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑的平均顆粒尺寸小于約10微米。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑的比表面積約為10到1000m²/g。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水溶液體系的pH值約為9到14。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水垢包含堿土金屬水垢。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水垢包含碳酸鈣。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水溶液體系至少包含鈣、鋇、鎂、鋁、碳酸氫鹽、碳酸鹽、硫酸鹽和磷酸鹽之一。

17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述在加入防垢劑之前，水溶液體系的鈣離子濃度約為10到500ppm，碳酸根離子濃度約為100到30,000ppm。

18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水溶液體系的溫度約為25到500℃。

19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水溶液體系處在80到1500psi的壓力下。

20.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑被加入到冷卻塔。

21.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑被加入到熱交換器。

22.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑被加入到蒸發(fā)器。

23.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑被加入到制漿蒸煮器之前。

24.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑被加入到制漿蒸煮器中。

25.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述防垢劑被加入到洗滌器中。

26.如權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括處理原油-水混合物。

27.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水垢包含碳酸鈣，防垢劑的平均顆粒尺寸小于約10微米，防垢劑的比表面積約為10到1000m²/g，水溶液體系的pH值約為9到14，在加入防垢劑之前，水溶液體系的鈣離子濃度約為10到500ppm，碳酸根離子濃度約為100到30,000ppm，并且水溶液體系的溫度約為25到500℃。