[發(fā)明專利]用于形成半導體裝置用內插器的復層板、半導體裝置用內插器以及它們的制造方法

有效

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• 申請日: 2000-06-09
• 公開（公告）號: CN1355935A
• 公開（公告）日: 2002-06-26
• 發(fā)明（設計）人: 西條謹二;吉田一雄;岡本浩明;大澤真司
• 申請（專利權）人: 東洋鋼鈑株式會社
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;B23K20/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

技術領域

本發(fā)明涉及用來形成用于作為搭載半導體芯片的襯底的半導體裝置的內插器的復層板、用該復層材料制造的用于半導體裝置的內插器(interposer)、以及它們的制造方法。

背景技術

近年來，隨著電子器件的小型、輕質和高性能化，還要求搭載在其上的半導體封裝裝置的小型化，已經開發(fā)了小型的半導體封裝裝置。于是，提出了與芯片尺寸大體同樣大小的半導體裝置。

日本專利特開平10-74807號公報披露了這樣了半導體裝置的制造方法，其示意圖示于圖12。在內插器100(襯底)的一個表面上搭載半導體芯片101，與襯底上的布線圖案102相連接。另外，布線通過在襯底厚度方向上形成的通孔103與安裝襯底側導通，在通孔的安裝襯底側形成外部連接用的焊點104。

在上述構成的半導體裝置中，內插器的兩個表面的導通是在通孔形成之后用電鍍等填充導電物質而實現的。但是，有形成微小的通孔和向其電鍍的工序，存在技術上的困難，而且由于進行比較厚的電鍍，成本也增加的問題。

本發(fā)明正是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供可廉價制造且具有良好特性的形成半導體裝置用內插器的復層板、用它制造的半導體裝置用內插器以及它們的制造方法。

發(fā)明概述

本發(fā)明的用于形成半導體裝置用內插器的復層板，其特征在于是通過把銅箔材料和鎳箔材料以0.1～3％的軋制率壓接而制成的。

本發(fā)明的用于形成半導體裝置用內插器的復層板，其特征在于是通過把其單面或雙面上鍍鎳的銅箔材料、和其它銅箔材料或其單面上鍍鎳的銅箔材料以0.1～3％的軋制率壓接而制成的。

本發(fā)明的的復層板，其特征還在于上述復層板是銅/鎳/銅/鎳/銅的五層結構。

本發(fā)明的半導體裝置用內插器，其特征在于：對如權利要求1～3中任一項所述的復層板選擇性蝕刻，形成與半導體芯片連接用的凸點、布線層，使用各向異性導電粘接劑通過半導體芯片連接用凸點實現半導體芯片與布線層的連接，借助于通過蝕刻形成的柱狀導體實現內插器厚度方向上的導通。

本發(fā)明的半導體裝置用內插器的制造方法，其特征在于包括下列工序：形成用于形成半導體裝置用內插器的復層板，該復層板是通過把形成導體層等的銅箔材料和形成蝕刻停止層的鎳箔材料或鍍鎳層層疊起來并以0.1～3％的軋制率進行壓接而形成的；對該復層板選擇性蝕刻，形成柱狀導體；在形成布線層的銅箔材料上形成絕緣層；以及在該復層板的與柱狀導體形成面相反的一側上形成與半導體芯片連接用的凸點和布線層。

本發(fā)明的用于形成半導體裝置用內插器的復層板的制造方法，其特征在于：上述用于形成半導體裝置用內插器的復層板是通過在真空槽內將上述銅箔和上述鎳箔或鍍鎳層的接合面預先活性化處理之后，把上述銅箔和上述鎳箔材料或鍍鎳層層疊起來并以0.1～3％的軋制率冷軋接合而成的，而且上述活性化處理通過如下進行，即，(1)在1×10¹～1×10^-2Pa的極低壓的不活潑氣體氣氛中；(2)以具有接合面的上述銅箔和上述鍍鎳層作為分別接地的電極A，并在它和另一被絕緣支撐的電極B之間施加1～50MHz的交流電，進行輝光放電；(3)在因上述輝光放電生成的等離子體中露出的電極的面積是電極B的面積的1/3以下；(4)進行濺射蝕刻處理。

附圖簡述

圖1是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖2是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖3是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖4是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖5是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖6是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖7是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖8是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖9是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖10是根據本發(fā)明的一實施方案的半導體裝置用內插器的制造方法的工序說明圖；

圖11是復層板的制造裝置的剖面正視圖；

圖12是現有的半導體裝置用內插器的剖面圖。

實施發(fā)明的具體方式