[發(fā)明專利]低溫犧牲氧化物的生成

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00808293.6
• 申請(qǐng)日: 2000-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN1353861A
• 公開（公告）日: 2002-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·米凱利斯;S·庫(kù)德爾卡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 因芬尼昂技術(shù)北美公司
• 主分類號(hào): H01L21/316
• 分類號(hào): H01L21/316
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 吳立明,梁永

1.一種沉積犧牲氧化物以制備半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟：

在半導(dǎo)體晶片上制備P型硅摻雜區(qū)以便在P型硅摻雜區(qū)上沉積犧牲氧化物半導(dǎo)體；

將晶片放在電化學(xué)槽中，使得含有電解質(zhì)的溶液與P型硅摻雜區(qū)發(fā)生反應(yīng)，當(dāng)晶片與溶液之間有電位勢(shì)差時(shí)，在P型硅摻雜區(qū)上生成犧牲氧化物；和

用犧牲氧化物層來(lái)處理晶片。

2.權(quán)利要求1所述的方法，還包括步驟：在晶片和溶液之間施加電壓以產(chǎn)生電位勢(shì)差，利用所施加的電壓來(lái)控制犧牲氧化物的厚度。

3.權(quán)利要求1所述的方法，其中的溶液包括水。

4.權(quán)利要求1所述的方法，其中的電解質(zhì)包含離子化合物。

5.權(quán)利要求1所述的方法，其中將晶片放在電化學(xué)槽中的步驟包括步驟：

將晶片放在電化學(xué)槽中使得晶片有一個(gè)暴露的表面區(qū)，該表面區(qū)上包含P型硅摻雜區(qū)；和

在溶液中提供記數(shù)器電極，該記數(shù)器電極的表面暴露面積與晶片的表面暴露面積基本相同。

6.權(quán)利要求5所述的方法，其中將晶片放在電化學(xué)槽中的步驟包括：密封晶片的非暴露區(qū)以防止與溶液接觸。

7.權(quán)利要求1所述的方法，其中將晶片放在電化學(xué)槽中的步驟包括使晶片包含P摻雜硅區(qū)的前表面暴露于氧化室并且晶片的后表面暴露于第二溶液，該溶液傳送電位勢(shì)給晶片以引發(fā)位勢(shì)差。

8.權(quán)利要求1所述方法，其中包含電解質(zhì)的溶液與P摻雜硅的區(qū)域發(fā)生根據(jù)以下方程式的反應(yīng)：

9.權(quán)利要求8所述方法，其中的反應(yīng)發(fā)生在室溫附近。

10.權(quán)利要求1所述的方法，其中的處理步驟包括步驟：

在半導(dǎo)體晶片襯底上刻蝕溝槽其中表面具有第一光平滑度；

在溝槽中生成犧牲半導(dǎo)體層；

對(duì)犧牲氧化物層刻蝕所生成表面的平滑度高于第一平滑度。

11.權(quán)利要求1所述的方法，其中的處理步驟包括步驟：

在半導(dǎo)體晶片襯底表面生成犧牲氧化物半導(dǎo)體層；和

用犧牲氧化物層將摻雜質(zhì)與表面部分屏蔽開。

12.權(quán)利要求1所述方法，其中的處理步驟包括步驟：

在半導(dǎo)體晶片襯底上刻蝕溝槽；

在溝槽中生成氧化物區(qū)；

刻蝕氧化物區(qū)以擴(kuò)展溝槽。

13.一種通過(guò)電化學(xué)方式生成犧牲氧化物半導(dǎo)體的方法，包括步驟：

暴露硅襯底的P型摻雜部分；

將硅襯底放置在電化學(xué)槽中，電化學(xué)槽包括其中含有已溶解電解質(zhì)的溶液；和

施加第一電位勢(shì)給硅襯底和施加第二電位勢(shì)給溶液以便在它們之間生成電位勢(shì)差使得犧牲氧化物層通過(guò)電化學(xué)方式沉積在襯底的暴露的P型摻雜區(qū)；

采用犧牲氧化物層對(duì)晶片進(jìn)行處理；和

清除犧牲氧化物層。

14.權(quán)利要求13所述方法，其中的電位勢(shì)差被用來(lái)控制犧牲氧化物層的厚度。

15.權(quán)利要求13所述方法，其中的溶液包括水。

16.權(quán)利要求13所述方法，其中的電解質(zhì)包含離子化合物。

17.權(quán)利要求11所述方法，其中將硅襯底放置在電化學(xué)槽中的步驟包括：

將硅襯底放置在電化學(xué)槽中使得該襯底有一個(gè)暴露表面區(qū)，該暴露表面區(qū)包括暴露的P摻雜部分；和

在溶液中提供一個(gè)記數(shù)器電極，該電極表面的暴露面積與襯底表面的暴露面積基本相同。

18.權(quán)利要求17所述的方法，其中將硅襯底放置在電化學(xué)槽中的步驟包括將襯底的非暴露區(qū)密封以防止與溶液接觸的步驟。

19.權(quán)利要求13所述的方法，其中將硅襯底放置在電化學(xué)槽中的步驟包括將硅襯底放置在電化學(xué)槽中使得包括P摻雜部分的襯底前表面暴露于氧化室并且晶片的后表面暴露于第二溶液，該溶液傳送第一電位勢(shì)給襯底以產(chǎn)生電位勢(shì)差。

20.權(quán)利要求13所述的方法，其中包含電解質(zhì)的溶液與P型摻雜部分作用發(fā)生以下反應(yīng)方程式所代表的反應(yīng)：

21.權(quán)利要求20所述的方法，其中的反應(yīng)發(fā)生在室溫附近。