[發(fā)明專利]具有低開啟電壓的磷化銦肖特基裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00808103.4
• 申請日: 2000-05-26
• 公開（公告）號: CN1352807A
• 公開（公告）日: 2002-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·E·施米茨;R·H·沃爾登;M·盧伊;M·K·于
• 申請（專利權(quán)）人: HRL實(shí)驗(yàn)室有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/47
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 沙捷,彭益群

1.一種肖特基二極管，包括陰極接觸層與相鄰于一個肖特基陽極金屬物的半導(dǎo)體肖特基層，其中：

所述肖特基層是一個具有多個層周期的超晶格，從距陰極接觸層最近的第一個層周期，到距陽極金屬物最近的最后一個層周期，每一個層周期都具有一厚度，并且包括一個具有一厚度的第一子層GaInAs，以及一個具有一厚度的第二子層AlInAs，而且，每一個層周期具有的GaInAs對AlInAs的一定比例；

在相鄰層周期之間，第一與第二子層的厚度是變化的，從而GaInAs對AlInAs的比例在相鄰周期之間是逐步變化的；并且

在所述最后一個層周期中AlInAs的厚度少于所述最后一個層周期厚度的80％。

2.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其中，每個層周期由所述第一與第二子層所構(gòu)成，并且所述第一與第二子層都與InP晶格匹配。

3.如權(quán)利要求1或2所述的肖特基二極管，其中，后續(xù)第一子層的厚度與后續(xù)第二子層的厚度是呈反向變化的，從而使得從第一個層周期到最后一個層周期相繼周期之間的GaInAs對AlInAs的比例也作相似的變化。

4.如以上任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的肖特基二極管，其中，裝置的肖特基陽極金屬物通過一個架空橋與到外部電路的金屬物相連。

5.如以上任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的肖特基二極管，其中，在第一個層周期的范圍內(nèi)，第一子層的厚度大約是第一層周期厚度的10％，而第二子層的厚度大約是第一層周期的90％，并且，在最后一個層周期的范圍內(nèi)，第一子層的厚度大約是最后一個層周期厚度的30％，而第二子層的厚度則是最后一個層周期厚度的70％。

6.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的肖特基二極管，其中，在第一個層周期的范圍內(nèi)，第一子層的厚度大約是第一層周期厚度的10％，而第二子層的厚度大約是第一層周期的90％，并且，在最后一個層周期的范圍內(nèi)，第一子層的厚度大約是最后一個層周期厚度的50％。

7.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的肖特基二極管，其中，在第一個層周期的范圍內(nèi)，第一子層的厚度大約是第一層周期厚度的10％，而第二子層的厚度大約是第一層周期的90％，并且，在最后一個層周期的范圍內(nèi)，第一子層的厚度大約是最后一個層周期厚度的70％，而第二子層的厚度則是最后一個層周期厚度的30％。

8.如以上任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的肖特基二極管，其中，層周期包括與InP晶格匹配的GaInAs子層和與InP晶格匹配的AlInAs子層。

9.一種肖特基二極管，包括：

一個InP基片；

一個肖特基陽極金屬物；以及

一個與肖特基陽極金屬物相鄰的半導(dǎo)體肖特基層，其中，所述肖特基層主要是In_XAl_1-XAs，X大于0.6。

10.如權(quán)利要求9所述的肖特基二極管，其中，所述肖特基陽極金屬物通過一個架空橋與到外部電路的金屬物相連。

11.如權(quán)利要求9或10所述的肖特基二極管，其中X大約為0.7。

12.一種肖特基二極管的制造方法，包括以下步驟：

準(zhǔn)備一InP基片；

建立基片之上的GaInAs摻雜陰極接觸層；

在陰極接觸層之上建立一個半導(dǎo)體肖特基層，該肖特基層是：

(a)一個截短的GaInAs和AlInAs厚度變化的超晶格，或者

(b)主要是In_XAl_1-XAs，X大于0.6；以及

沉積一個肖特基層的金屬陽極接觸。

13.如權(quán)利要求12所示的方法，其中，所述GaInAs和AlInAs與InP晶格匹配。