[發(fā)明專利]液體和氣體消毒和凈化的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00807874.2 | 申請日: | 2000-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN1359357A | 公開(公告)日: | 2002-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | Z·特里拜爾斯基;M·安德 | 申請(專利權(quán))人: | 阿特蘭蒂姆有限公司 |
| 主分類號: | C02F1/72 | 分類號: | C02F1/72;C02F1/30;C02F1/32;C02F1/36;A61L2/232;A61L9/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王杰 |
| 地址: | 以色列*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液體 氣體 消毒 凈化 方法 | ||
1.一種消毒和凈化液體和氣體的方法,該法包括:使所述的液體或氣體通過具有平截頭的復(fù)合聚能器幾何結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器或反應(yīng)器組合;以及同時將各種電磁能和聲能傳送和聚集在所述的復(fù)合聚能器反應(yīng)器的特別預(yù)定的內(nèi)部空間中,在預(yù)定的時期內(nèi)在所述的反應(yīng)器中形成高能密度區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中反應(yīng)器為復(fù)合拋物形聚能器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中反應(yīng)器為復(fù)合橢圓聚能器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中反應(yīng)器的內(nèi)表面用光催化劑的薄層涂覆。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法,其中光催化劑為TiO2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中電磁能為任何電磁譜范圍的電磁能或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中聲能有任何適合的頻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中至少一種電磁能源封閉在反應(yīng)器中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中至少一個電磁能源在反應(yīng)器外。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中至少一個電磁能源為激光。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法,其中激光為脈沖激光。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中有高強度光源的輻射單元為約1赫至約50千赫的高重復(fù)頻率、約1mJ至約50J的高峰值功率的閃光燈。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中液體和氣體通過至少兩個復(fù)合拋物形反應(yīng)器串聯(lián)的反應(yīng)器陣列。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中液體和氣體通過至少兩個復(fù)合拋物形反應(yīng)器并聯(lián)的反應(yīng)器陣列。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中電磁能為約200至約400納米的紫外線(UV)能。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法,其中紫外線輻射為脈沖輻射。
17.一種用于上述權(quán)利要求中任一項的方法的復(fù)合聚能器反應(yīng)器設(shè)備,其中所述的反應(yīng)器為帶有用于氣體和液體流過的寬入口和窄出口的中空平截頭聚能器,以及所述的聚能器有能使光聚集在其中形成高能密度區(qū)的特別預(yù)定的光聚集幾何形狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的設(shè)備,其中聚能器的內(nèi)部形狀為復(fù)合拋物形或橢圓聚能器幾何形狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的設(shè)備,其中反應(yīng)器的內(nèi)壁用光催化劑涂覆。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的設(shè)備,其中光催化劑為TiO2(鈦氧化物)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的設(shè)備,其中TiO2被以等離子體濺射方式涂覆,厚度為約0.8至約1000微米。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的設(shè)備,其中將厚度0.8至約1500微米的TiO2涂層涂覆在SiO2基質(zhì)上,形成預(yù)定的折射指數(shù)。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的設(shè)備,其中涂覆材料的折射指數(shù)低于流過反應(yīng)器的液體或氣體的折射指數(shù)。
24.根據(jù)權(quán)利要求16-22的設(shè)備,其中涂覆層有許多溝槽,其中所述的溝槽平行排列或按柵格結(jié)構(gòu)排列,并且其中兩連續(xù)溝槽之間的距離小于照射其上單個入射波長的長度。
25.根據(jù)權(quán)利要求17-24的設(shè)備,其中反應(yīng)器為反滲析體系或過濾體系的一部分。
26.一種上面描述和說明的設(shè)備。
27.一種上面描述和說明的方法。
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