[發明專利]具有含銅表面的電子元器件的濕法處理方法

無效

• 申請號: 00807855.6
• 申請日: 2000-05-19
• 公開（公告）號: CN1352703A
• 公開（公告）日: 2002-06-05
• 發明（設計）人: 史蒂文·維爾哈維爾貝克
• 申請（專利權）人: CFMT公司
• 主分類號: C23F3/00
• 分類號: C23F3/00;B08B3/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 谷惠敏,袁炳澤

1.一種對具有含銅表面的電子元器件進行濕法處理的方法，該方法包括：

(a)第一接觸時間內使電子元器件的表面接觸銅氧化液；以及

(b)隨后，第二接觸時間內使電子元器件的表面接觸蝕刻液，其中蝕刻液保持水pH值為5或更低并含有蝕刻劑和少于5,000ppb的溶解氧或懸浮氧，并且其中電子元器件的表面與銅氧化液和蝕刻液接觸可以將沾污物從電子元器件的表面清除。

2.根據權利要求1所述的方法，其中銅氧化液包括從由過氧化氫、臭氧、氰化鐵或它們的組合組成的組中選擇的氧化劑。

3.根據權利要求2所述的方法，其中從由過氧化氫、臭氧或它們的組合組成的組中選擇氧化劑。

4.根據權利要求3所述的方法，其中銅氧化液包括水、根據銅氧化液的總體積至少約0.1體積百分比的過氧化氫，并且保持pH值為7或更大。

5.根據權利要求1所述的方法，其中銅氧化液包括水、過氧化氫以及氫氧化銨。

6.根據權利要求5所述的方法，其中銅氧化液內含有水、過氧化氫以及氫氧化銨，體積比H₂O∶H₂O₂∶NH₄OH在約5∶1∶1至約200∶1∶1之間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中從由鹽酸、硫酸、氫氟酸、磷酸、乙酸、檸檬酸、酒石酸以及它們的組合組成的組中選擇蝕刻劑。

8.根據權利要求1所述的方法，其中蝕刻液是含有氫氟酸的溶液，含有氫氟酸的溶液包括氫氟酸和去離子水，體積比H₂O∶HF在約5∶1至約1000∶1之間。

9.根據權利要求8所述的方法，其中含有氫氟酸的溶液的pH值保持在約為3或者更低。

10.根據權利要求9所述的方法，其中含有氫氟酸的溶液進一步包括鹽酸，體積比H₂O∶HF∶HCl在約50∶1∶1至約1000∶1∶1之間。

11.根據權利要求10所述的方法，其中含有氫氟酸的溶液至少包括約100ppb的溶解氧或懸浮氧。

12.根據權利要求1所述的方法，其中在使電子元器件接觸銅氧化液后，而在使電子元器件接觸蝕刻液之前，利用包括去離子水的沖洗液對電子元器件進行沖洗。

13.根據權利要求1所述的方法，其中至少銅氧化液或蝕刻液之一包括表面活性劑、防蝕劑或者它們的組合。

14.根據權利要求1所述的方法，其中在一個或多個容器內對電子元器件進行濕法處理。

15.根據權利要求1所述的方法，其中在單容器內對電子元器件進行處理。

16.根據權利要求15所述的方法，其中在電子元器件接觸銅氧化液后，直接用沖洗液或蝕刻液替換銅氧化液。

17.根據權利要求1所述的方法，其中銅氧化液的pH值至少約為7或者更高。

18.一種對具有含銅表面的電子元器件進行濕法處理的方法，該方法包括：

(a)將一個或多個具有含銅表面的電子元器件放在單容器內；

(b)將包括氧化劑的銅氧化液注入容器內；

(c)第一接觸時間內使電子元器件接觸銅氧化液，然后從容器內排出銅氧化液；

(d)將pH值為5或者更低、至少具有5000ppb溶解氧或懸浮氧的含氫氟酸溶液注入容器內；以及

(e)第二接觸時間內使電子元器件接含氫氟酸溶液，然后從容器中排出含氫氟酸溶液，其中電子元器件的表面接觸銅氧化液和含氫氟酸溶液可以將沾污物從電子元器件的表面清除。

19.根據權利要求18所述的方法，其中通過利用另一種處理液進行替換，從容器內排出銅氧化液和含氫氟酸溶液。

20.一種對具有含銅表面的電子元器件進行濕法處理的方法，該方法包括：

(a)第一接觸時間內使電子元器件的表面接觸銅氧化液，其中銅氧化液的pH值至少約為7或者更高；以及

(b)隨后，第二接觸時間內使電子元器件的表面接觸蝕刻液，其中蝕刻液保持水pH值為5或更低并含有蝕刻劑和少于5,000ppb的溶解氧或懸浮氧或者其它銅氧化劑，并且其中電子元器件的表面與銅氧化液和蝕刻液接觸可以將沾污物從電子元器件的表面清除。