[發(fā)明專利]磁阻頭及其制造方法,以及磁記錄重現(xiàn)裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00807845.9
• 申請日: 2000-11-27
• 公開（公告）號: CN1351746A
• 公開（公告）日: 2002-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 本間義康;長谷川博幸
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/187;G11B5/39
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,梁永

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有磁阻(MR)元件的MR頭，特別涉及對磁介質(zhì)接觸移動的MR頭及其制造方法。另外，本發(fā)明還涉及使用該MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置。

背景技術(shù)

近年來，隨著磁記錄的高密度化，應用薄膜技術(shù)制造的磁頭正引人注目。特別是MR頭正被用作旋轉(zhuǎn)柱式VTR(磁帶錄像機)等的磁頭(例如，IEEE?Transactions?on?Magnetics，Vol.34，No.4，July1998(Sony))。

圖10中給出了MR頭(磁軛型)的典型結(jié)構(gòu)的斜視圖，圖11給出了其剖面圖。在該MR頭中，圖中左側(cè)的側(cè)面10與磁帶、磁盤等記錄介質(zhì)相接觸。由記錄介質(zhì)產(chǎn)生的磁通量從下部磁軛11傳向后上部磁軛13、MR元件14、前上部磁軛15，因MR元件14的磁化旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的電阻變化由輸出端點16取出。該MR頭進而具有磁隙18、偏磁層19、保護膜20、下部基板21、上部基板22和粘結(jié)膜23。另外，為示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，在圖10中省略了保護膜20、粘結(jié)膜23和上部基板22的圖示。

MR元件部30由于用薄膜形成技術(shù)形成，所以與體材料不同，強度較弱。因此，該元件部被下部基板21和上部基板(增強構(gòu)件)22夾住。為了與這樣的基板結(jié)合，在MR元件部30的至少一側(cè)設置了粘結(jié)膜23。粘結(jié)膜23可使用有機粘結(jié)劑。

但是。當使MR頭對記錄介質(zhì)滑動時，記錄介質(zhì)的成分就附著到MR頭的從對記錄介質(zhì)滑動的面露出的粘結(jié)膜23上。反之，粘結(jié)膜的成分也附著到記錄介質(zhì)上。由于這些附著，MR頭和記錄介質(zhì)雙方都易受損傷。

另外，由于粘結(jié)膜23與下部基板21和上部基板(增強構(gòu)件)22的材料不相同，所以隨著對記錄介質(zhì)的滑移，MR頭容易產(chǎn)生偏磨耗。一旦因偏磨耗，使滑動面上產(chǎn)生臺階，在MR頭和記錄介質(zhì)之間就產(chǎn)生間距損耗，使重現(xiàn)特性變壞。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于提供即使對磁記錄介質(zhì)滑動，也能抑制可靠性下降的MR頭及其制造方法。另外，本發(fā)明的目的還在于提供使用該MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置。

為達到上述目的，在本發(fā)明中，在形成了MR元件部的基板和增強構(gòu)件在對磁記錄介質(zhì)滑動的面上露出的MR頭中，以有機物膜不從對磁記錄介質(zhì)滑動的面露出的方式粘結(jié)基板和增強構(gòu)件。

在本發(fā)明的MR頭的一種形態(tài)中，基板和增強構(gòu)件經(jīng)非有機物膜相粘結(jié)。

在本發(fā)明的MR頭的另一形態(tài)中，基板和增強構(gòu)件經(jīng)不在對磁記錄介質(zhì)滑動的面上露出的粘結(jié)膜相粘結(jié)。該粘結(jié)膜可以是有機物膜，也可以是非有機物膜，但以不在從滑動面起沿基板和增強構(gòu)件的交界面的5μm以內(nèi)的范圍內(nèi)形成為宜。

另外，為達到上述目的，在本發(fā)明中，采用了如下方法進行制造：該方法包括將形成了MR元件部的基板和增強構(gòu)件在對磁記錄介質(zhì)滑動的面上露出的MR頭，在基板的表面形成MR元件部的工序；使形成了該MR元件部的基板的表面平坦化的工序；在平坦化了的基板表面和增強構(gòu)件的表面分別形成含金屬層的非有機物膜的工序；以及借助于對上述金屬層進行固相結(jié)合，將上述基板和上述增強構(gòu)件進行結(jié)合的工序。

本發(fā)明還提供安裝了上述MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置以及安裝了用上述方法制造的MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置。

附圖的簡單說明

圖1是示出本發(fā)明的MR頭的一種形態(tài)的局部剖面圖。

圖2是示出本發(fā)明的MR頭的另一形態(tài)的局部剖面圖。

圖3是示出在MR頭制造中使用的基板的一個例子的斜視圖。

圖4是示出MR頭制造工序中形成MR元件部的工序的一個例子的斜視圖。

圖5是示出用保護膜覆蓋圖4所示的MR元件部的工序的一個例子的斜視圖。

圖6是示出進而形成圖5所示的保護膜并使其表面平坦化的工序的一個例子的斜視圖。

圖7是示出將圖6所示的基板和增強構(gòu)件進行結(jié)合時的配置狀態(tài)的斜視圖。

圖8是示出從圖7所示狀態(tài)將基板和增強構(gòu)件進行結(jié)合以制造MR頭的工序的斜視圖。

圖9是使用本發(fā)明的MR頭的磁記錄重現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)例的配置概略圖。

圖10是示出現(xiàn)有的MR頭的局部剖開的斜視圖。

圖11是現(xiàn)有的MR頭的局部剖面圖。

發(fā)明的實施形態(tài)

以下對本發(fā)明的優(yōu)選實施形態(tài)進行說明。