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[發明專利]光學信息記錄方法和使用該光學信息記錄方法的光學信息記錄裝置無效

專利信息
申請號: 00807777.0 申請日: 2000-03-15
公開(公告)號: CN1351747A 公開(公告)日: 2002-05-29
發明(設計)人: 鳴海建治;秋山哲也;西內健一;古川惠昭 申請(專利權)人: 松下電器產業株式會社
主分類號: G11B7/0045 分類號: G11B7/0045;G11B7/125;G11B19/04
代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 代理人: 劉宗杰,王忠忠
地址: 日本大阪*** 國省代碼: 暫無信息
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 光學 信息 記錄 方法 使用 裝置
【說明書】:

技術領域

本發明涉及例如光盤等以光學的方式記錄/再生信息的光學信息記錄媒體和為了使記錄條件最佳化而在記錄信息信號之前進行試驗記錄的信息記錄方法和信息記錄裝置。

背景技術

近年來,作為以光學方式記錄信息的媒體,提案和開發了光盤、光卡、光帶等。其中,光盤作為可以以大容量而高密度地記錄/再生信息的媒體而受到注目。

對于改寫型光盤之一的方式,有相變化型光盤。相變化型光盤使用的記錄膜,隨激光的加熱條件和冷卻條件而成為非結晶狀態和結晶狀態中的某一狀態。非結晶狀態和結晶狀態有可逆性。在上述非結晶狀態和結晶狀態中,記錄膜的光學常數(折射率和衰減系數)不同。在相變化型光盤中,根據信息信號有選擇地將2個狀態形成記錄膜,利用作為該結果而發生的光學的變化(透過率或反射率的變化)進行信息信號的記錄和再生。

為了得到上述2個狀態,使用以下的方法記錄信息信號。使由光頭集束的激光(功率電平Pp)以脈沖狀照射到光盤的記錄膜上(將其稱為記錄脈沖),使記錄膜的溫度超過熔點而上升時,就發生熔融,熔融部分在激光通過的同時迅速地冷卻而成為非結晶狀態的記錄標志(或稱為標志)。將功率電平Pp稱為峰值功率。另外,集束強度約為使記錄膜的溫度在結晶化溫度以上上升到熔點以下的溫度的激光(功率電平Pb,Pb<Pp)而照射時,照射部的記錄膜成為結晶狀態。將該功率電平Pb稱為偏置功率。另外,將這些峰值功率和偏置功率總稱為記錄功率。

這樣,在光盤的紋跡上,就形成由與記錄數據信號對應的非結晶區域構成的記錄標志和由結晶區域構成的非標志部(稱為間隙)的記錄圖形。并且,通過利用結晶區域和非結晶區域的光學特性的不同,可以再生信息信號。

另外,最近,已使用標志邊緣記錄(也稱為PWM記錄)來取代標志位置記錄(也稱為PPM記錄)。在標志位置記錄中,僅在記錄標志本身的位置上具有信息,而在標志邊緣記錄中,在記錄標志邊緣的前端和后端都具有信息,所以,具有提高記錄線密度的優點。

特別是,在標志邊緣記錄方式的情況下,將記錄長的標志時的記錄脈沖分解為多個記錄脈沖串(稱為多脈沖),使用使開頭的脈沖(稱為前端脈沖)的寬度比中間的脈沖的寬度和最后的脈沖(稱為后端脈沖)的寬度大而進行記錄的方法。這是考慮到從標志的前部傳遞的多余的熱的影響,在記錄標志的后部時,通過使供給記錄膜的熱量比記錄標志的前部時少,可以減輕記錄標志形狀的畸變,從而可以更精密地記錄標志。

然而,光盤是可更換的記錄媒體,所以,光盤的記錄再生裝置就要求對不同的多個光盤可以穩定地進行記錄再生。但是,即使是在同一條件下制造的光盤,由于制造時的誤差和隨著時間的變化而熱特性發生的偏差,對于記錄再生最適合的記錄功率相互不同。另外,由于光盤的基板表面的污垢、記錄再生裝置的光學系統的傳輸效率降低以及動作狀態的變化,到達光盤的記錄膜上的激光的功率也有可能發生變化。

另外,在標志邊緣記錄方式的情況時,光盤的熱特性的偏差對記錄標志本身的形成狀態以及記錄標志間的熱干涉的程度有影響。即,即使用相同的記錄脈沖波形記錄而形成的記錄標志的形狀對各光盤也不同。結果,隨各盤而不同,記錄標志邊緣將偏離理想的位置,從而再生的信號的品質有可能降低。

因此,必須通過對各盤將記錄功率及前端脈沖邊緣位置和后端脈沖邊緣位置修正為最佳狀況,不論對哪個盤記錄標志都可以在理想的邊緣位置進行記錄。

如上述那樣修正激光的最佳功率電平及前端脈沖邊緣位置和后端脈沖邊緣位置而正確地記錄再生信息信號的方法的例子已由專利第2679596號公報所公開。這就是將記錄標志的長度(稱為自標志長)和其前后的間隙的長度(分別稱為前間隙長和后間隙長)的組合作成組合表,對組合表內的各個要素修正前端脈沖邊緣位置或后端脈沖邊緣位置。

另外,在特開平9-63056號公報中公開了根據誤碼率與功率的依賴關系決定最佳的記錄功率的方法。另外,在特開平6-195713號公報中,還公開了在記錄再生裝置起動時或光盤導入時記錄信息信號之前,在進行具有特定的周期的數據圖形(稱為試驗圖形)的試驗記錄后,通過再生記錄的試驗信號并測定該再生信號而求出記錄標志邊緣的偏離量來修正前端脈沖邊緣位置還后端脈沖邊緣位置的方法。

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