[發明專利]摻雜稀土元素的基質材料

無效

• 申請號: 00807695.2
• 申請日: 2000-02-25
• 公開（公告）號: CN1351641A
• 公開（公告）日: 2002-05-29
• 發明（設計）人: R·E·里曼;J·巴拉托
• 申請（專利權）人: 拉特格斯州立大學
• 主分類號: C09K11/59
• 分類號: C09K11/59;C09K11/08;C09K11/61;C09K11/88;C09K11/62;H01J1/63
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張元忠,譚明勝

1.一種摻雜稀土元素的組合物，其含有高達約60摩爾百分比的一種或者多種稀土元素摻雜劑，該摻雜劑選自Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu，所述組合物在所述稀土元素產生激發，熒光和發光的波長下是光學透明的，其中所述稀土元素的含量為對于Tb和Dy為大于約50摩爾百分比，對于Ho為大于約40摩爾百分比，對于Er為大于約30摩爾百分比，對于Tm為大于約20摩爾百分比，對于Yb為大于約10摩爾百分比，以及對于Lu為大于約5摩爾百分比。

2.權利要求1的組合物，其由具有約1-100nm的微晶尺寸的納米粒子組成。

3.權利要求1的組合物，其含有選自La，Be，Mg，Ca，Sr，Pb和Ba的金屬的摻雜稀土元素的鹵化物或硫屬元素化物鹽。

4.權利要求3的組合物，其含有摻雜稀土元素的氟化鹽或氯化鹽。

5.權利要求1的組合物，其含有摻雜稀土元素的IIIA族或者IVA族半導體元素，或者摻雜稀土元素的IIIA族或者IVA族半導體元素的半導體化合物。

6.權利要求5的組合物，其中所述半導體元素選自Si，Ga或As，并且所述半導體化合物是GaN或者InN。

7.權利要求1的組合物，其摻雜了一種或者多種除Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu以外的其它稀土元素。

8.權利要求4的組合物，其含有摻雜稀土元素的鹵氧化物鹽。

9.一種含有權利要求1的組合物的復合材料，其分散在聚合的、玻璃狀的或晶體基體中，該基體是化學惰性的并在所述稀土元素產生激發，熒光和發光性的波長下是光學透明的。

10.權利要求9的復合材料，其中所述基體是含氟聚合物。

11.一種含有由權利要求9的復合材料形成光學部件的發光裝置。

12.權利要求11的發光裝置，其中所述裝置是零損耗連接元件，上變頻光源，標準光源，立體顯示器，平板顯示器或者用于操作波分復用系統中的光源。

13.權利要求11的發光裝置，其含有摻雜多種稀土元素的組合物，在激發，熒光或者發光時發射出多種重疊發射帶。

14.權利要求11的發光裝置，起含有摻雜多種稀土元素的組合物，在激發，熒光或者發光時發射多種分開的和特征的發射帶。

15.權利要求14的發光裝置，其中所述裝置是立體顯示器或平板顯示器。

16.一種組合物，其含有選自Be，Mg，Ca，Sr和Ba的金屬鹵化鹽或硫屬元素化物鹽，并摻雜了一種或多種稀土元素。

17.權利要求16的組合物，其由具有1-100nm的微晶尺寸的納米粒子組成。

18.權利要求16的組合物，其含有摻雜稀土元素的氟化鹽或者氯化鹽。

19.權利要求18的組合物，其含有摻雜稀土元素的鹵氧化物鹽。

20.權利要求16的組合物，其還含有一種或多種除了Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu之外的其它稀土元素。

21.一種含有權利要求16的組合物的復合材料，其分散在聚合的、玻璃狀的或晶體基體中，該基體是化學惰性的并在所述稀土元素產生激發，熒光和發光性的波長下是光學透明的。

22.權利要求21的復合材料，其中所述基體是含氟聚合物。

23.一種發光裝置，其含有由權利要求21的復合材料形成的光學部件。

24.權利要求23的發光裝置，其中所述裝置是一種光學放大器，零損耗連接元件，上變頻光源，標準光源，立體顯示器，平板顯示器或者用于操作波分復用系統中的光源。

25.權利要求23的發光裝置，其含有摻雜多種稀土元素的組合物，在激發、熒光或者發光時發射多種重疊發射帶。

26.權利要求23的發光裝置，其含有摻雜多種稀土元素的組合物，在激發、熒光或者發光時發射多種分開的和特征的發射帶。

27.權利要求26的發光裝置，其中所述裝置是立體顯示器或平板顯示器。