[發明專利]信息記錄媒體及其制造方法

有效

• 申請號: 00807627.8
• 申請日: 2000-03-10
• 公開（公告）號: CN1350489A
• 公開（公告）日: 2002-05-22
• 發明（設計）人: 山田升;児島理惠;松永利之;河原克巳
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: B41M5/26
• 分類號: B41M5/26;G11B7/24;G11B7/26;G11B9/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉宗杰,葉愷東

1.一種信息記錄媒體，在基板上設有記錄材料層，利用電能或電磁波能，在進行電學或光學檢測的狀態間可以產生可逆的相轉移，其特征在于，形成所述記錄層的記錄材料為下述A或B的材料，而且所述晶格缺陷的至少一部分由構成所述結晶結構的元素以外的元素鑲嵌：

A.在所述可逆性相變化的一個相中，具有含有晶格缺陷的結晶結構的材料；

B.在所述可逆性相變化的一個相中，形成由含有晶格缺陷的結晶部分和非結晶部分構成的復合相，而且所述結晶部分和非結晶部分含有共同的元素的材料。

2.如權利要求1所述的信息記錄媒體，所述非結晶相部分相對所述B成分的復合相中的所述結晶相部分的摩爾比為2.0以下。

3.如權利要求1所述的信息記錄媒體，所述B成分的可逆相轉移在所述復合相和單一相之間產生。

4.如權利要求1所述的信息記錄媒體，含有所述晶格缺陷的結晶結構為NaCl形。

5.如權利要求1所述的信息記錄媒體，含有所述晶格缺陷的結晶結構中含有Te或Se。

6.如權利要求1所述的信息記錄媒體，形成所述B成分的復合相的所述非結晶相部分含有選自Sb，Bi，Ge以及In的至少一種元素。

7.如權利要求1所述的信息記錄媒體，含有所述晶格缺陷的結晶結構含有Ge，Sb以及Te。

8.如權利要求1所述的信息記錄媒體，含有所述晶格缺陷的結晶結構中含有選自Ge，Sb，Bi以及Te的至少一種元素，而且所述復合相中的非結晶相成分含有選自Ge，Sb，Bi至少一種元素。

9.如權利要求7所述的信息記錄媒體，含有所述晶格缺陷的結晶結構含有選自Sn，Cr，Mn，Ag，Al，Pb，In以及Se的至少一種元素。

10.如權利要求9所述的信息記錄媒體，含有所述晶格缺陷的結晶結構含有選自Sn-Cr，Sn-Mn，Sn-Ag，Mn-Ag，Cr-Ag，Sn-Mn以及Sn-Cr-Ag的至少一種組合的元素。

11.如權利要求1所述的信息記錄媒體，鑲嵌所述晶格缺陷的至少一部分的元素為和Te形成穩定的化學計量的巖鹽形結晶的元素。

12.如權利要求1所述的信息記錄媒體，鑲嵌所述晶格缺陷的至少一部分的元素離子半徑為Rim、構成所述結晶構造的元素的離子半徑的最小值為Rnc時，滿足0.7Rnc＜Rim≤1.05Rnc的關系。

13.如權利要求1所述的信息記錄媒體，鑲嵌所述晶格缺陷的至少一部分的元素的熔點為Tim、構成所述結晶構造的結晶熔點為Tnc時，滿足|Tim-Tnc|≤100℃的關系。

14.如權利要求1所述的信息記錄媒體，鑲嵌所述晶格缺陷的至少一部分的元素離子半徑為Rim、熔點為Tim，構成所述結晶構造的元素的離子半徑的最小值為Rnc、熔點為Tnc時，滿足0.7Rnc＜Rim≤1.05Rnc，而且|Tim-Tnc|≤100℃的關系。

15.如權利要求1所述的信息記錄媒體，鑲嵌所述晶格缺陷的元素的添加濃度為Dim、所述結晶結構中的晶格缺陷的濃度為Ddf，滿足Dim≤Ddf×1.5的關系。

16.如權利要求15所述的信息記錄媒體所述Dim滿足0.2≤Dim≤Ddf的關系。

17.如權利要求11所述的信息記錄媒體，鑲嵌所述晶格缺陷的元素是選自Ag，Sn，以及Pb的至少一種元素。

18.如權利要求11所述的信息記錄媒體，含有所述晶格缺陷的結晶結構是選自GeTe-Sb₂Te₃類2元體系組成、GeTe-Bi₂Te₃類2元體系組成以及GeTe-Al₂Te₃類2元體系組成的至少一種元素。

19.如權利要求18所述的信息記錄媒體，鑲嵌晶格缺陷的元素為Al。