[發明專利]腐蝕增強層有效
| 申請號: | 00807546.8 | 申請日: | 2000-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN1350658A | 公開(公告)日: | 2002-05-22 |
| 發明(設計)人: | P·V·納加拉卡;J·T·理查德;L·S·希思;C·A·基烏里;R·森;J·拉姆;D·W·麥卡錫 | 申請(專利權)人: | 3M創新有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;B41C1/10;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所 | 代理人: | 錢慰民 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 腐蝕 增強 | ||
1.一種對制造基本上透明的電極結構有用的可腐蝕層狀成象介質,其特征在于,包括:
(a)襯底;
(b)高折射率金屬氧化物層;
(c)可腐蝕金屬導電層;
(d)高折射率金屬氧化物導電層;和
(e)腐蝕增強層,其紅外吸收大于所述高折射率金屬氧化物導電層的紅外吸收,其紅外反射率小于所述高折射率金屬氧化物導電層的紅外反射率。
2.如權利要求1所述的可腐蝕層狀成象介質,其特征在于,所述腐蝕增強層基本上是水溶性的,或者基本上是水分散性的。
3.如權利要求2所述的可腐蝕層狀成象介質,其特征在于,所述腐蝕增強層包括分散在基本上水溶性或水分散性的聚合物基質中的碳黑。
4.如權利要求2所述的可腐蝕層狀成象介質,其特征在于,所述腐蝕增強層包括紅外吸收染料。
5.如權利要求1所述的可腐蝕層狀成象介質,其特征在于,進一步包括一脫模層,該層基本上是水溶性的或水分散性,位于所述腐蝕增強層和所述高折射率金屬氧化物導電層之間。
6.如權利要求5所述的可腐蝕層狀成象介質,其特征在于,所述腐蝕增強層包含鋁。
7.如權利要求6所述的可腐蝕層狀成象介質,其特征在于,所述脫模層包括聚乙烯醇。
8.如權利要求1所述的可腐蝕層狀成象介質,其特征在于,進一步包括紅外吸收較低的金屬氧化物層。
9.一種用于在襯底上形成多個基本上透明的電極的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(a)提供一層狀成象介質,該介質依次包括襯底、高折射率金屬氧化物層、可腐蝕金屬導電層、高折射率金屬氧化物導電層,以及腐蝕增強層,其中腐蝕增強層的紅外吸收大于所述高折射率金屬氧化物導電層的紅外吸收,而其紅外反射率小于所述高折射率金屬氧化物導電層的紅外反射率;和
(b)對層狀成象介質的預定非電極區進行紅外輻射曝光,曝光的強度和持續時間足以在所述非電極區中腐蝕可腐蝕金屬導電層,從而所述非電極區中有效除去可腐蝕金屬導電層和任何覆蓋層;和
(c)對層狀成象介質的預定電極區進行紅外輻射曝光,曝光強度和持續時間足以通過腐蝕而有效除去所述腐蝕增強層,且不除去所述電極內的任何下伏層。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,步驟(b)和(c)中的紅外曝光是依次進行的。
11.如權利要求9所述的方法,其特征在于,步驟(b)和(c)中的紅外曝光是同時進行的。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





