[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 00807221.3
• 申請日: 2000-11-20
• 公開（公告）號: CN1349663A
• 公開（公告）日: 2002-05-15
• 發明（設計）人: 橫川俊哉;高橋邦方;楠本修;北畠真;上野山雄
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/338;H01L29/812
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體裝置，在襯底上設有能起到作為有源元件一部分功能的有源區，其特征在于：

所述有源區設立在所述襯底上，由作為載流子渡越區域功能的至少一個第1半導體層和至少1個第2半導體層疊層生長構成，第2半導體層含有比所述第1半導體高濃度的載流子用雜質、膜厚比所述第1半導體層薄，薄到由于量子效應載流子能夠滲入所述第1半導體層。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第1及第2半導體層、分別設立多個，而且交互、疊層生長形成。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于：所述第1半導體層中載流子用雜質濃度小于1×10¹⁷atoms·cm^-3，所述第2半導體層中載流子用雜質濃度大于10¹⁷atoms·cm^-3。

4.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的半導體裝置，其特征在于：

所述襯底及有源區從SiC、GaN以及GaAs中選擇其中任一種材料構成。

5.根據權利要求1至4中任一權利要求所述的半導體裝置，其特征在于：

所述有源區中第1及第2半導體層，由相互共通的半導體材料構成。

6.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第2半導體層是SiC層，

所述第2半導體層的厚度大于一個單膜，小于20nm。

7.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的半導體裝置，其特征在于：

所述第1半導體層是SiC層，

所述第1半導體層的厚度約大于10nm，約小于100nm。

8.根據權利要求1至7中任一權利要求所述的半導體裝置，其特征在于：

所述襯底是含有高濃度雜質的半導體層，

所述有源區的最上部由所述第1半導體層構成，

所述有源區最上部第1半導體層上面的一部分上具備肖特基接觸的肖特基電極，

所述襯底的一部分上具備歐姆接觸的歐姆電極。

9.根據權利要求1至7中任一權利要求所述的半導體裝置，其特征在于：

所述有源區第1半導體層及第2半導體層各第1側面上具備肖特基接觸的肖特基電極，與所述有源區第1半導體層及第2半導體層的所述各第1側面相隔一定間隔的第2側面上具備與它連接的電極。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：

與所述有源區的第1半導體層及第2半導體層的所述各第1側面相隔一定間隔的區域上更具備導入高濃度雜質形成的引出用摻雜層，

所述電極與所述引出用摻雜層成歐姆接觸。

11.根據權利要求1至7中任一權利要求所述的半導體裝置，其特征在于：

所述有源區的最上部由所述第1半導體層構成，

所述有源區最上部的第1半導體層上面的一部分上具備肖特基接觸的肖特基柵電極，

所述有源區上還具備將所述肖特基柵電極挾在中間，與所述有源區連接的源極·漏極電極。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于：

所述有源區上還具備將所述肖特基柵電極挾在中間，含有高濃度雜質的兩個第3半導體層，

所述源極·漏極電極與所述第3半導體層成歐姆接觸。