[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00807221.3
• 申請日: 2000-11-20
• 公開（公告）號: CN1349663A
• 公開（公告）日: 2002-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 橫川俊哉;高橋邦方;楠本修;北畠真;上野山雄
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/338;H01L29/812
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導(dǎo)體裝置，在襯底上設(shè)有能起到作為有源元件一部分功能的有源區(qū)，其特征在于：

所述有源區(qū)設(shè)立在所述襯底上，由作為載流子渡越區(qū)域功能的至少一個第1半導(dǎo)體層和至少1個第2半導(dǎo)體層疊層生長構(gòu)成，第2半導(dǎo)體層含有比所述第1半導(dǎo)體高濃度的載流子用雜質(zhì)、膜厚比所述第1半導(dǎo)體層薄，薄到由于量子效應(yīng)載流子能夠滲入所述第1半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1及第2半導(dǎo)體層、分別設(shè)立多個，而且交互、疊層生長形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1半導(dǎo)體層中載流子用雜質(zhì)濃度小于1×10¹⁷atoms·cm^-3，所述第2半導(dǎo)體層中載流子用雜質(zhì)濃度大于10¹⁷atoms·cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述襯底及有源區(qū)從SiC、GaN以及GaAs中選擇其中任一種材料構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述有源區(qū)中第1及第2半導(dǎo)體層，由相互共通的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述第2半導(dǎo)體層是SiC層，

所述第2半導(dǎo)體層的厚度大于一個單膜，小于20nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述第1半導(dǎo)體層是SiC層，

所述第1半導(dǎo)體層的厚度約大于10nm，約小于100nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述襯底是含有高濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體層，

所述有源區(qū)的最上部由所述第1半導(dǎo)體層構(gòu)成，

所述有源區(qū)最上部第1半導(dǎo)體層上面的一部分上具備肖特基接觸的肖特基電極，

所述襯底的一部分上具備歐姆接觸的歐姆電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述有源區(qū)第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層各第1側(cè)面上具備肖特基接觸的肖特基電極，與所述有源區(qū)第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層的所述各第1側(cè)面相隔一定間隔的第2側(cè)面上具備與它連接的電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

與所述有源區(qū)的第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層的所述各第1側(cè)面相隔一定間隔的區(qū)域上更具備導(dǎo)入高濃度雜質(zhì)形成的引出用摻雜層，

所述電極與所述引出用摻雜層成歐姆接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述有源區(qū)的最上部由所述第1半導(dǎo)體層構(gòu)成，

所述有源區(qū)最上部的第1半導(dǎo)體層上面的一部分上具備肖特基接觸的肖特基柵電極，

所述有源區(qū)上還具備將所述肖特基柵電極挾在中間，與所述有源區(qū)連接的源極·漏極電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

所述有源區(qū)上還具備將所述肖特基柵電極挾在中間，含有高濃度雜質(zhì)的兩個第3半導(dǎo)體層，

所述源極·漏極電極與所述第3半導(dǎo)體層成歐姆接觸。