[發明專利]具有位線泄漏控制的雙閾值電壓SRAM單元有效
| 申請號： | 00807119.5 | 申請日： | 2000-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN1357145A | 公開（公告）日： | 2002-07-03 |
| 發明（設計）人： | A·克沙瓦茲;K·張;Y·葉;V·德 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | G11C11/412 | 分類號： | G11C11/412;G11C11/418 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,陳景峻 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 泄漏 控制 閾值 電壓 sram 單元 | ||
1.一個集成電路包括：
一條位線和一條位線#；
字線；
每個存儲單元相應于字線之一以及每個包括：
(a)分別連接在第一和第二存儲結點之間的第一和第二通路晶體管，以及位線和位線#，分別地，相應的字線連接到第一和第二通路晶體管的柵極；以及
(b)交叉連接在第一和第二存儲結點之間的第一和第二反相器，其中第一和第二通路晶體管每個具有比第一和第二反相器的晶體管更低的閾值電壓；以及
連接到字線的字線電壓控制電路，以選擇性地控制字線上的字線信號。
2.權利要求1的集成電路，其中字線電壓控制電路認定用于相應于選擇為讀的一個存儲器單元的一個所選擇的字線的字線信號并欠驅動用于不相應于所選存儲單元的字線的字線信號。
3.權利要求2的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是包括在-5和-99毫伏之間。
4.權利要求2的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是包括在-100和-200毫伏之間。
5.權利要求2的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是包括在-201和-500毫伏之間。
6.權利要求2的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是大于-500毫伏的。
7.權利要求1的集成電路，其中晶體管是MOS?FET晶體管。
8.權利要求1的集成電路，還包括一第二列存儲器單元。
9.權利要求1的集成電路，還包括連接到位線和位線#的一個讀出放大器。
10.權利要求1的集成電路，還包括位線條件電路，以分別予充電位線和位線#上的數據和數據#信號。
11.一個集成電路包括：
一條位線和一條位線#；
相應于行的字線；
每個存儲單元相應于字線之一以及每個包括：
(a)分別連接在第一和第二存儲結點之間的第一和第二通路晶體管，以及位線和位線#，分別地，相應的字線連接到第一和第二通路晶體管的柵極；以及
(b)交叉連接在第一和第二存儲結點之間的第一和第二反相器，其中第一和第二通路晶體管每個具有比第一和第二反相器的晶體管更低的閾值電壓；以及
連接到字線的字線電壓控制電路，以選擇性地控制字線上的字線信號，使得該字線電壓控制電路認定用于所選擇行的字線的字線信號并欠驅動用于未選擇的行的字線的字線信號。
12.權利要求11的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是包括在-5和-99毫伏之間。
13.權利要求11的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是包括在-100和-200毫伏之間。
14.權利要求11的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是包括在-201和-500毫伏之間。
15.權利要求11的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是負于-500毫伏。
16.權利要求11的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是負于-100毫伏。
17.權利要求11的集成電路，還包括一第二列存儲單元。
18.一個集成電路包括：
一條位線和一條位線#；
相應于行的字線；
每個存儲單元相應于字線之一以及每個包括：
(a)分別連接在第一和第二存儲結點之間的第一和第二通路晶體管，以及位線和位線#，分別地，相應的字線連接到第一和第二通路晶體管的柵極；以及
(b)交叉連接在第一和第二存儲結點之間的第一和第二反相器；以及
連接到字線的字線電壓控制電路，以選擇性地控制字線上的字線信號，使得該字線電壓控制電路認定用于所選擇行的字線的字線信號并欠驅動用于未選擇的行的字線的字線信號。
19.權利要求18的集成電路，其中用于未選擇的字線的字線信號是包括在-100和-200毫伏之間。
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