[發明專利]摻雜聚合物的方法

有效

• 申請號: 00807051.2
• 申請日: 2000-04-05
• 公開（公告）號: CN1349651A
• 公開（公告）日: 2002-05-15
• 發明（設計）人: P·K－H·侯;J－S·金;R·H·弗蘭德
• 申請（專利權）人: 劍橋顯示技術有限公司
• 主分類號: H01B1/12
• 分類號: H01B1/12;H01L51/20;C08G61/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王杰

1、用于形成摻雜有摻雜劑的共軛聚合物的方法，包括以下步驟：

(a)將包含摻雜劑結構部分的摻雜劑加入到包括共軛聚合物或它的前體和任選的第二聚合物的溶液中，該摻雜劑結構部分能夠鍵接于共軛聚合物、它的前體或第二聚合物上；

(b)使摻雜劑結構部分鍵接于共軛聚合物、它的前體或第二聚合物上進行共軛聚合物的摻雜；

其特征在于在步驟(a)中添加的摻雜劑的量低于形成完全摻雜的共軛聚合物所需的量。

2、根據權利要求1的方法，其中在步驟(a)中添加的摻雜劑的量是在低于形成完全摻雜的共軛聚合物所需的量的10-20％的范圍內。

3、根據權利要求1或權利要求2的方法，其中在步驟(a)中添加的摻雜劑的量足以形成0.1％-5％摻雜的共軛聚合物。

4、根據權利要求3的方法，其中在步驟(a)中添加的摻雜劑的量足以形成1％摻雜的共軛聚合物。

5、根據前述權利要求中任一項的方法，其中摻雜劑是質子酸摻雜劑。

6、根據權利要求5的方法，其中摻雜劑結構部分選自膦酸基、磺酸基、氟代烷基羧酸基或茚甲酸基。

7、根據權利要求1-5中任一項的方法，其中摻雜劑結構部分包括摻雜劑的前體。

8、根據權利要求7的方法，其中前體摻雜劑結構部分包括膦酸根或磺酸根。

9、根據權利要求8的方法，其中步驟(c)包括加熱摻雜劑結構部分以產生摻雜劑。

10、根據前述權利要求中任一項的方法，其中步驟(b)包括從共軛聚合物、它的前體或第二聚合物中裂解摻雜劑結構部分。

11、根據權利要求10的方法，其中摻雜劑結構部分通過加熱從中間聚合物分裂開。

12、根據前述權利要求中任一項的方法，其中在步驟(b)中摻雜劑結構部分經間隔基鍵接于共軛聚合物、它的前體或第二聚合物上。

13、根據前述權利要求中任一項的方法，進一步包括從其前體形成共軛聚合物的步驟。

14、根據權利要求13的方法，其中共軛聚合物的前體包括取代的前體聚電解質PPV。

15、根據前述權利要求中任一項的方法，其中共軛聚合物包括取代的或非取代的PPV。

16、根據權利要求14或權利要求15的方法，其中共軛聚合物包括在結構式I或II中所示的結構：

其中Y是摻雜劑結構部分；OR’和OR”各是烷氧基和H；X是烷基或芳基間隔基或直接鍵；y≤0.05和n≥10。

17、根據前述權利要求中任一項的方法，其中在步驟(a)中添加摻雜劑之前，第二聚合物與共軛聚合物或它的前體共聚合。

18、根據權利要求1-16中任一項的方法，其中在步驟(a)中添加摻雜劑的之前，第二聚合物與共軛聚合物或它的前體共混。

19、根據權利要求18的方法，其中第二聚合物包括取代或非取代的PPV。

20、用于形成部分摻雜的聚合物的方法，包括以下步驟：

(a)將摻雜劑加到聚合物或它的前體中，該摻雜劑能夠鍵接于前體或聚合物；和

(b)使摻雜劑離開該前體或聚合物以形成能夠摻雜聚合物的摻雜劑；

其中所添加的摻雜劑的摩爾數少于足以完全摻雜聚合物鏈的數值。

21、根據前述權利要求中任一項的方法，另外包括以下步驟：

(d)使摻雜劑分離以形成基本上均勻的摻雜共軛聚合物。

22、根據前述權利要求中任一項的方法，另外包括處理該溶液以形成薄膜層的步驟。

23、可通過在權利要求1-22中任一項定義的方法制備的摻雜的共軛聚合物。

24、根據權利要求23的聚合物，其中摻雜共軛聚合物具有高于10^-9S/cm和低于1S/cm的電導率。

25、根據權利要求24的聚合物，其中摻雜共軛聚合物具有高于10^-8S/cm-10^-3S/cm的電導率。