[發(fā)明專利]金屬層或金屬硅化物層結(jié)構(gòu)化法以及用該法制造的電容器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00806830.5
• 申請日: 2000-04-20
• 公開（公告）號: CN1349658A
• 公開（公告）日: 2002-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: V·魏因里希;G·欣德勒;C·馬祖雷－埃斯佩約
• 申請（專利權(quán)）人: 因芬尼昂技術(shù)股份公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 馬鐵良,張志醒

1.金屬層結(jié)構(gòu)化方法，具有以下步驟：

—在襯底(9)上產(chǎn)生一結(jié)構(gòu)化層(10)，其中，結(jié)構(gòu)化層(10)具有一個預(yù)結(jié)構(gòu)化基層區(qū)(11)以及一個側(cè)向包圍基層區(qū)(11)的由硅，尤其是由多晶硅構(gòu)成的隱埋層區(qū)(12)；

—把金屬層(14)沉積到結(jié)構(gòu)化層(10)上；

—對金屬層(14)硅化至少在處于隱埋層區(qū)(12)內(nèi)的段(18)，使得在那里形成金屬硅化物層段(18)；

—氧化處在隱埋層區(qū)(12)的金屬硅化層段(18)，其中它向結(jié)構(gòu)化層(10)的隱埋層區(qū)(12)內(nèi)移動，使得至少金屬區(qū)域(19)留在基層區(qū)(11)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征為，

在基層區(qū)(11)內(nèi)，形成接觸金屬層(14)的、由金屬尤其是由鎢構(gòu)成的導(dǎo)電引線結(jié)構(gòu)(16)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征為，

—在基層區(qū)(11)上形成接觸金屬層(14)的、由硅，尤其是由多晶硅構(gòu)成的導(dǎo)電引線結(jié)構(gòu)(16)，以及

—在引線結(jié)構(gòu)(16)和金屬區(qū)域(19)之間淀積導(dǎo)電壁壘層用于防止通過引線結(jié)構(gòu)(16)金屬區(qū)域(19)硅化，以及防止引線結(jié)構(gòu)(16)的氧化。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征為，

在基層區(qū)(11)上的區(qū)域里在淀積的金屬層(14)上以及至少在稍后提供金屬層(14)硅化處，產(chǎn)生氧化掩模(15)用于防止這類硅化的金屬層區(qū)域的氧化。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征為，

結(jié)構(gòu)化層(10)的隱埋層區(qū)(12)至少形成為金屬層(14)厚度的一倍。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征為，

金屬層(14)由鉑或銥構(gòu)成。

7.金屬硅化物層的結(jié)構(gòu)化方法，具有步驟：

—在襯底(9)上產(chǎn)生結(jié)構(gòu)化層(10)，其中，結(jié)構(gòu)化層(10)具有預(yù)結(jié)構(gòu)化的基層區(qū)(11)和側(cè)向包圍基層區(qū)(11)的、由硅，尤其由多晶硅構(gòu)成的隱埋層區(qū)(12)；

—在結(jié)構(gòu)化層(10)上產(chǎn)生金屬硅化層(114)；

—至少在隱埋層區(qū)(12)的一段(118)內(nèi)氧化金屬硅化層(114)，使得在那里金屬硅化層(114)移入結(jié)構(gòu)化層(10)的隱埋層區(qū)(12)內(nèi)，其中，至少涉及基層區(qū)(11)的相同結(jié)構(gòu)的金屬硅化物區(qū)域(119)留在基層區(qū)(11)上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征為，

金屬硅化物層(114)通過相應(yīng)的金屬硅化物的直接淀積，尤其是通過金屬硅化物靶的濺射產(chǎn)生。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征為，

金屬硅化物層(114)通過交替地淀積金屬層和硅層以及隨后的退火工藝產(chǎn)生。

10.根據(jù)權(quán)利要求7到9之一所述的方法，其特征為，

氧化掩模(115)淀積到基層區(qū)(11)之上區(qū)域內(nèi)的金屬硅化物層(114)上。

11.根據(jù)權(quán)利要求7到10之一所述的方法，其特征為，

結(jié)構(gòu)化層(10)的隱埋層區(qū)(12)比金屬硅化物層(114)厚，尤其是約為金屬硅化物層(114)厚度的一倍。

12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征為，

至少重新除去，在金屬區(qū)域(19)的側(cè)壁區(qū)域內(nèi)，或金屬硅化物區(qū)域(119)內(nèi)，在氧化時在隱埋的金屬硅化物層段(18，118)上隱埋層區(qū)(12)內(nèi)形成的氧化物層。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征為，

至少在金屬區(qū)域(19)或在金屬硅化物區(qū)域(119)上淀積含金屬氧化物的層，用于形成具有鐵電特性或高ε介電體的電容器。

14.在具有由金屬和/或金屬硅化物構(gòu)成的基極(19，119)的集成半導(dǎo)體電路內(nèi)的高ε介電體電容器或鐵電體電容器，其特征為，

—電容器的基極(19，119)建立在結(jié)構(gòu)化層(10)上，該層在基極(19，119)之下具有基層區(qū)(11)，并且與其鄰接具有側(cè)向處于基極(19，119)的輪廓外的、由Si，尤其是多晶硅構(gòu)成的隱埋層區(qū)(12)，以及

—在隱埋層區(qū)(12)內(nèi)包含在基極(19，119)結(jié)構(gòu)化時在那里隱埋的金屬硅化物層段(18，118)。