[發(fā)明專利]硅晶片處理裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00806788.0
• 申請日: 2000-04-13
• 公開（公告）號: CN1349655A
• 公開（公告）日: 2002-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 弗蘭克·韋費爾;于爾根·西貝爾格
• 申請（專利權）人: 德克爾兄弟兩合公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王憲模

1.一種用流體(3)處理器件，特別是硅晶片(2)的裝置(1；1′；1″；1；1″″)，它具有：

a)容納流體(3)的容器(4；4″；4；4″″)；

b)可轉動的托架(5；5″；5；5″″)，它至少部分設置在容器(4；4″；4；4″″)內，用于放置被處理的器件；以及

c)可旋轉驅動的軸，它在至少一個軸承(13，14；13″；13；14；13″″；14″″)上運轉，并與托架(5；5″；5；5″″)接合；

d)所述至少一個軸承(13，14；13″；13；14；13″″；14″″)包括：

i)第一軸承元件(22；22″；22)與軸連接；以及

ii)笫二軸承元件(24；24″；24；24″″)位于第一軸承元件(22；22″；22)的附近，含有超導材料；

iii)所述第一軸承元件(22；22″；22)被磁力與所述第二軸承元件(24；24″；24；24″″)隔離。

2.按照權利要求1的裝置(1)，其特征在于第二軸承元件(24)具有超導材料的軸承殼(28)。

3.按照權利要求1或2的裝置(1)，其特征在于第一軸承元件(22)具有環(huán)形的永久磁鐵(25)。

4.按照權利要求3的裝置(1)，其特征在于各自相鄰的環(huán)形磁鐵(25)具有相反的磁極。

5.按照權利要求1的裝置(1″)，其特征在于第二軸承元件(24″)具有超導材料的平面支承盤(53)。

6.按照權利要求5的裝置(1″)，其特征在于第一軸承元件(22″)具有環(huán)形永久磁鐵(25″)，各環(huán)形磁鐵相互同心設置。

7.按照上述權利要求之一的裝置(1；1′；1″；1；1″″)，其特征在于設置一個驅動裝置(15；15′；15；15″″)用于驅動所述軸。

8.按照權利要求7的裝置(1；1″；1；1″″)，其特征在于驅動裝置(15；15″；15″″)具有線圈芯(41)，它至少部分包圍軸。

9.按照權利要求7的裝置(1′)，其特征在于驅動裝置(15′)具有與所述軸接合的磁滯盤(48)，以及用于產生磁場的靜態(tài)線圈組件，該磁場與磁滯盤(48)相互作用以驅動所述軸。

10.按照上述權利要求之一的裝置(1；1′；1″；1；1″″)，其特征在于第一軸承元件(22；22″；22)和/或第二軸承元件(24；24″；24；24″″)和/或容器(4；4″；4；4″″)和/或軸涂有耐流體(3)的涂層(16，27，35；52；27″，35″)。

11.按照上述權利要求之一的裝置(1；1′；1″；1；1″″)，其特征在于第一軸承元件(22；22″；22)可以從第二軸承元件(24；24″；24；24″″)移開。

12.按照上述權利要求之一的裝置(1；1′；1″；1；1″″)，其特征在于軸和水平線構成可自由選擇的角度α，并且0°＜α＜90°，尤其是5°＜α＜30°，α≈15°特別有利。

13.一種用于處理器件，特別是硅晶片(2)的裝置(1″)，它具有：

a)可轉動的托架(5″)用于放置被處理的器件，它至少部分設置在容器(4″)內；以及

b)可旋轉驅動的軸，它安裝在至少一個軸承(13″″，14″″)內并與托架(5″)連接；

c)所述至少一個軸(13″″，14″″)具有：

i)第一軸承元件(22)與所述軸連接；以及

ii)第二軸承元件(24″″)，它被配給第一軸承元件(22)，含有超導材料；

iii)所述第一軸承元件(22)被磁力與第二軸承元件(24″″)隔離。

14.按照權利要求13的裝置(1″)其特征在于所述軸基本上是垂直的，并且托架(5″)具有基本上水平的支承盤(18″)。

15.按照權利要求14的裝置(1″)其特征在于支承盤(18″)用于支承被處理的器件。