[發明專利]鋁合金背面結太陽電池及其制作方法

有效

• 申請號: 00806689.2
• 申請日: 2000-02-01
• 公開（公告）號: CN1348607A
• 公開（公告）日: 2002-05-08
• 發明（設計）人: 丹尼爾·L·邁爾;休伯特·P·戴維斯;魯思·A·加西亞;加拉爾·薩拉米
• 申請（專利權）人: 埃伯樂太陽能公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0224
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

l.一種太陽電池，包括：

包括n-型電導率的摻雜原子并被受照表面和非受照表面限定的基極層，當所述太陽電池暴露于光能時，所述受照表面具有照射到其上的所述光能，并且所述非受照表面在所述受照表面的對面；

包括鋁合金接觸并充當p-型電導率層的背面發射極層；以及

配置在所述所述基極層的所述非受照表面和所述背面層之間的p-n結層。

2.如權利要求1的太陽電池，還包括重摻雜n-型層，其配置在基極層的受照表面附近。

3.如權利要求2的太陽電池，其中重摻雜n-型層包括磷原子。

4.如權利要求2的太陽電池，還包括抗反射層，其配置在重摻雜n-型層的附近。

5.如權利要求4的太陽電池，還包括金屬接觸，其燒制通過抗反射膜以到達重摻雜n-型層。

6.如權利要求5的太陽電池，其中金屬接觸包括銀并充當基極層的歐姆接觸。

7.如權利要求5的太陽電池，其中金屬接觸具有1μm至20μm的厚度。

8.如權利要求1的太陽電池，其中空穴通過所述基極層的擴散長度稍微小于基極層的厚度。

9.如權利要求8的太陽電池，其中空穴通過所述基極層的擴散長度基本等于所述基極層的厚度。

10.如權利要求9的太陽電池，其中空穴通過基極層的擴散長度超過基極層的厚度。

11.如權利要求10的太陽電池，其中n-型基極層是使用從由定向凝固的鑄硅結晶，邊緣限定薄膜饋送生長，線帶生長，Czochralski，浮區，Bridgeman和蔓狀晶生長法組成的組選出一種技術制作的。

12.如權利要求11的太陽電池，其中n-型基極層為蔓狀晶硅層。

13.如權利要求12的太陽電池，其中n-型基極層具有在大約5Ω-cm和大約100Ω-cm之間的電阻。

14.如權利要求12的太陽電池，其中n-型基極層具有大約20Ω-cm的電阻。

15.如權利要求12的太陽電池，其中n-型基極層的厚度在大約30μm和大約200μm之間。

16.如權利要求15的太陽電池，其中n-型基極層的厚度大約為100μm。

17.如權利要求1的太陽電池，其中鋁合金層充當發射極層的非受照表面的自對準接觸。

18.如權利要求17的太陽電池，其中鋁合金層是鋁-硅共熔金屬層。

19.如權利要求17的太陽電池，其中鋁-硅共熔金屬層具有在大約1μm和大約30μm之間的厚度。

20.如權利要求17的太陽電池，其中鋁合金層基本覆蓋基極層的非受照表面。

21.如權利要求17的太陽電池，其中鋁合金層部分地覆蓋基極層的非受照表面。

22.如權利要求21的太陽電池，其中鋁合金層以分段的形式部分覆蓋基極層的非受照表面，相互交叉的n-型金屬接觸被配置在分段的鋁合金層的間隔中。

23.如權利要求22的太陽電池，還包括鄰近金屬接觸的重摻雜n-型層，以便于連接到基極層上。

24.一種太陽電池的制作方法，包括：

提供基極層，所述基極層具有n-型電導率并被受照表面和非受照表面限定，當所述太陽電池暴露于光能時，所述受照表面具有照射到其上的所述光能，并且所述非受照表面在所述受照表面的對面。

在與所述基極層的所述非受照表面相同的一側制作p-型電導率的發射極層，以提供重摻雜的p-型發射極層和所述n-型基極層和所述p-型發射極層之間的p-n結。

25.如權利要求24的方法，其中所述的提供基極層包括使用從由Czochralski，浮區，Bridgeman，定向凝固的鑄硅結晶，定邊喂膜生長法(EFG)，線帶生長和蔓狀晶生長法組成的組中選出的一種技術，制作n-型電導率的單晶硅襯底。

26.如權利要求25的方法，其中所述的提供基極層包括使用蔓狀晶生長法制作n-型電導率的單晶硅襯底。