[發(fā)明專利]制備難溶薄涂層的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00805960.8 | 申請日: | 2000-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN1346412A | 公開(公告)日: | 2002-04-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 克里斯蒂安-赫伯特·菲舍爾;漢斯-于爾根·穆福勒;瑪爾塔·克里斯蒂娜·勒克斯-施泰納 | 申請(專利權(quán))人: | 哈恩-邁特納研究所柏林有限公司 |
| 主分類號: | C23C26/00 | 分類號: | C23C26/00;H01L21/368;H01L31/18 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 過曉東 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 難溶薄 涂層 方法 | ||
1、一種在任意形態(tài)的底材上制備難溶薄涂層的方法,它包括下列步驟,這些步驟可根據(jù)所需涂層的厚度循環(huán)執(zhí)行,以制備陶瓷涂層或氧化物涂層(CL/OL):
(I)將至少一種適當?shù)钠鹗嘉锪?P)涂覆到底材表面(S)上,形成起始物料層;
(II)在惰性氣流(GS)中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料涂層(PL)干燥;
(III)在干燥后的起始物料涂層(PLD)中通入潮濕的反應氣體(RG),使其轉(zhuǎn)化成相應的氫氧化物涂層或絡合物涂層(HL);
(IV)熱處理所形成的氫氧化物涂層或絡合物涂層(HL),使其形成最終涂層(CL/OL);接著
如果有未轉(zhuǎn)化的起始物料成分或不需要的副產(chǎn)物
(V)進行洗滌分離,然后干燥。
2、一種在任意形態(tài)的底材上制備難溶薄涂層的方法,它包括下列步驟,這些步驟可根據(jù)所需涂層的厚度循環(huán)執(zhí)行,以制備金屬涂層:
(I)將至少一種適當?shù)钠鹗嘉锪?P)涂覆到底材表面(S)上,形成起始物料層;
(II)在惰性氣流(GS)中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料涂層(PL)干燥;
(III)在干燥后的起始物料涂層(PLD)中通入潮濕的、還原性的反應氣體(RG),使其轉(zhuǎn)化成金屬涂層;
(IV)熱處理所形成的金屬涂層,分離未轉(zhuǎn)化的起始物料成分或不需要的副產(chǎn)物。
3、一種在任意形態(tài)的底材上制備難溶薄涂層的方法,它包括下列步驟,這些步驟可根據(jù)所需涂層的厚度循環(huán)執(zhí)行,以制備硫?qū)倩锿繉?CHL):
(I)將至少一種適當?shù)钠鹗嘉锪?P)涂覆到底材表面(S)上,形成起始物料層;
(II)在惰性氣流(GS)中或通過蒸發(fā)使所形成的起始物料涂層(PL)干燥;
(III)在干燥后的起始物料涂層(PLD)中通入潮濕的反應氣體(RG),使其轉(zhuǎn)化成相應的氫氧化物涂層或絡合物涂層(HL);
(IIIa)在氫氧化物涂層或絡合物涂層(HL)中通入另外的、含硫?qū)倩瘹浠衔锏姆磻獨怏w(CRG),形成硫?qū)倩锏淖罱K涂層(CHL):
(IV)熱處理所形成的氫氧化物涂層或絡合物涂層(HL)和/或硫?qū)倩锏淖罱K涂層(CHL)。
4、如權(quán)利要求1至3之一所述的方法,其特征在于,所述的熱處理(IV)或者通過在各涂層形成之后進行單獨加熱而完成,或者通過提高其形成過程中的過程溫度(TP)來完成。
5、如權(quán)利要求1至4之一所述的方法,其特征在于,所述的至少一種的起始物料(P)優(yōu)選與易揮發(fā)的溶劑形成溶液,所述溶液在底材(S)上的涂覆是通過浸漬法(LB)或噴霧法完成。
6、如權(quán)利要求1至5之一所述的方法,其特征在于,所述的起始物料(P)是鹽。
7、如權(quán)利要求1至6之一所述的方法,其特征在于,所述潮濕的反應氣體(RG)優(yōu)選是堿性的反應性氣體或氣態(tài)水。
8、如權(quán)利要求1至7之一所述的方法,其特征在于,所述起始物料(P)是不同化合物的混合物。
9、如權(quán)利要求1至8之一所述的方法,其特征在于,在各自的循環(huán)步驟中使用不同的起始物料(P),特別是按重復的順序進行。
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