[發明專利]帶有嵌入的快閃和EEPROM存儲器的器件

無效

• 申請號: 00805604.8
• 申請日: 2000-02-25
• 公開（公告）號: CN1345448A
• 公開（公告）日: 2002-04-17
• 發明（設計）人: D·K·劉;王鼎華
• 申請（專利權）人: 硅芯片公司
• 主分類號: G11C11/00
• 分類號: G11C11/00;G11C5/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 程天正,陳景峻

1.集成電路晶片包括：

在所述晶片上的EEPROM存儲器；以及

在所述晶片上用與所述EEPROM存儲器基本相同的處理步驟形成的FLASH存儲器。

2.權利要求1的晶片，還包括用與所述EEPROM和FLASH存儲器基本上相同的處理步驟形成的邏輯電路。

3.權利要求2的晶片，其中所述邏輯電路包括處理器。

4.權利要求3的晶片，其中所述邏輯電路包括總線接口和本地總線，所述存儲器被耦合到所述本地總線。

5.權利要求1的晶片，其中至少一個所述存儲器包括浮柵，以及通過使用襯底熱電子注入，把電荷注入到所述浮柵。

6.權利要求1的晶片，其中兩種所述存儲器都使用襯底熱電子注入。

7.權利要求1的晶片，其中所述EEPROM存儲器實行字節擦除。

8.權利要求1的晶片，其中所述FLASH存儲器實行塊擦除。

9.權利要求1的晶片，其中所述EEPROM和FLASH存儲器包括單元，所述FLASH存儲器的所述單元小于所述EEPROM存儲器的所述單元。

10.權利要求1的晶片，其中所述單元包括雙層多晶硅傳感晶體管。

11.權利要求1的晶片，其中所述FLASH和EEPROM單元包括選擇晶體管。

12.形成集成電路晶片的方法，包括：

在所述晶片上形成EEPROM存儲器；

在所述晶片上形成FLASH存儲器；以及

使用基本上相同的處理步驟形成所述EEPROM和FLASH存儲器。

13.權利要求12的方法，包括使用完全相同的處理步驟形成所述EEPROM和FLASH存儲器。

14.權利要求12的方法，包括使用襯底熱電子注入以便把電荷注入到所述存儲器的浮柵。

15.權利要求12的方法，包括對于所述EEPROM存儲器使用字節擦除。

16.權利要求12的方法，包括對于所述FLASH存儲器使用塊擦除。

17.權利要求12的方法，包括形成所述EEPROM和FLASH存儲器，以使得所述FLASH存儲器的所述單元小于所述EEPROM存儲器的所述單元。

18.權利要求12的方法，還包括通過使用與形成所述EEPROM和FLASH存儲器的基本上相同的處理步驟，以便在所述晶片上形成邏輯電路

19.權利要求18的方法，包括使用完全相同的處理步驟來形成所述邏輯電路和所述存儲器。

20.權利要求18的方法，其中形成所述邏輯電路包括形成處理器。