[發(fā)明專利]有機電發(fā)光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00805374.X | 申請日: | 2000-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN1344428A | 公開(公告)日: | 2002-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | A·卡尼茨;M·施特塞爾 | 申請(專利權(quán))人: | 奧斯蘭姆奧普托半導體股份有限兩合公司 |
| 主分類號: | H01L51/20 | 分類號: | H01L51/20 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 盧新華,周慧敏 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 機電 發(fā)光 元件 | ||
本發(fā)明涉及一種有機電發(fā)光元件,尤其是一種有機發(fā)光二極管。
由于信息量的飛速增長,數(shù)據(jù)的視象化越來越重要。為了在移動和便攜電子裝置中使用開發(fā)了平屏(“平板顯示器”)技術(shù)。當前平屏市埸上廣泛地以液晶顯示器(LC顯示器)技術(shù)占主導地位。除了可以低成本生產(chǎn)、耗電省、重量輕和占地小之外,液晶顯示器也有嚴重的缺點。
液晶顯示器本身不是發(fā)射的,因此只有在有利的環(huán)境光照條件下才易于讀取或者辨識。這使得在多數(shù)情況下需要背景照明裝置,但是這卻大大地加大了平屏的厚度。此外需要把主要部分的耗電用于照明,并且燈泡或者發(fā)光材料管的工作要求較高的電壓,這多借助于“升壓電壓變換器”由電池或者蓄電池產(chǎn)生。其它的缺點是液晶顯示器的觀察角嚴重地受限、各個象素的開關(guān)時間長,所述開關(guān)時間典型地在數(shù)毫秒,還有較強的溫度依從性。構(gòu)象的延遲使之在交通工具或者視像應(yīng)用中特別有干擾。
除了液晶顯示器之外還有其它的平屏技術(shù),例如,平屏陰極射線管、真空螢光顯示器和無機薄膜電發(fā)光顯示器。這些技術(shù)既達不到所需技術(shù)成熟程度又由于工作電壓較高或者生產(chǎn)成本高,不適于用在便攜式的電器裝置中。
基于有機發(fā)光二極管(英文縮寫:OLED)的顯示器沒有所述的缺點。由于其自發(fā)射性,不再必要有背景照明,從而占地和耗電都顯著地減少了。開關(guān)的時間在微秒左右,且只略有溫度依從性,使之可以用于視像應(yīng)用。讀取角接近180度,并且取消了如發(fā)光二極管顯示器需要的偏振光膜,從而可以得到較大的顯示元件亮度。其它的優(yōu)點是可應(yīng)用柔性和非平面的基板,以及生產(chǎn)簡單成本低廉。
有機發(fā)光二極管的構(gòu)造一般地如下。
把一種透明的基板,例如玻璃大面積地涂覆例如銦錫氧化物(ITO)的透明電極(底電極,陽極)。按照應(yīng)用,然后借助于光刻技術(shù)構(gòu)成所述的透明電極。在所述基板上涂敷由聚合物、低聚物、低分子化合物或者其混合物組成的一層或多層有機物層。聚合物例如是聚苯胺、聚(對-亞苯基-亞乙烯)和聚(2-甲氧-5-(2’-乙基)-己基氧-對-亞苯基-亞乙烯)。低分子化合物,優(yōu)選帶正電荷的化合物是N,N-雙-(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)-聯(lián)苯胺(m-TPD)、4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(m-MTDATA)4,4’,4”-三-(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)。發(fā)射極例如采用羥基喹啉-鋁-III-鹽(Alq3),該化合物可以摻雜進適量的生色體(陶土衍生物,芳香烴等)。視情況不同可以考慮添加影響電光特性和長期特性的物質(zhì),如銅-酞菁。聚合物的涂敷多用液相通過刮磨刀或者旋涂,低分子化合物和低聚化合物多由氣相通過蒸發(fā)或者說“物理蒸汽沉積”(PVD)來沉淀。總覆層厚度可在10毫微米和10微米之間,典型地在50至200毫微米之間。
在所述有機層上涂敷對電極(頂電極、陰極),該電極一般地是由金屬、由金屬合金或者由薄絕緣體層組成。陰極層的制備一般地通過熱蒸發(fā)、電子輻射蒸發(fā)的氣相沉積或濺涂進行。
陰極材料采用金屬時,所述金屬應(yīng)當有很小的逸出功(典型地<3.7個電子伏特),從而可以有效地向有機半導體中注入電子。為此多使用堿金屬、堿土金屬或者稀土金屬;層厚在0.2毫微米至幾百毫微米之間,一般地是在幾十毫微米。因為這些非貴金屬在大氣條件下易于腐蝕,需要在陰極層上附加地再涂敷一層較惰性貴金屬,如鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)或者金(Au),該層保護所述非貴金屬不受濕氣和空氣中的氧的侵蝕。
為了提高陰極對腐蝕條件下產(chǎn)生缺陷的穩(wěn)定性,常用由能有效注射電子的卻易于腐蝕的非貴金屬(逸出功率<3.7電子伏特)和抗腐蝕的貴金屬,如鋁、銅、銀和金組成的合金而不用純的非貴金屬。合金中非貴金屬的成分可以在千分之幾到約90%之間。所述合金多通過同時由氣相沉積金屬產(chǎn)生,例如同蒸發(fā)、同時用多個源的濺射和使用合金靶的濺射。但是在這樣的陰極上多再附加地涂敷一層貴金屬層,如鋁、銅、銀或者銅作為抗腐蝕層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





