[發(fā)明專利]一種改進(jìn)的薄層核子密度計(jì)無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00805301.4 | 申請(qǐng)日： | 2000-03-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1156689C | 公開（公告）日： | 2004-07-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沃瓦格·H·L·德;約翰·T·伊甘;阿爾弗雷德·W·喬丹;羅伯特·E·特羅克斯勒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 特羅克斯勒電子實(shí)驗(yàn)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01N23/20 | 分類號(hào)： | G01N23/20;G01N23/06;G01B7/26 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美國北卡*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改進(jìn) 薄層 核子 密度計(jì) | ||
【權(quán)利要求書】：
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