[發明專利]基體的電解鍍覆方法

有效

• 申請號: 00805261.1
• 申請日: 2000-03-13
• 公開（公告）號: CN1344334A
• 公開（公告）日: 2002-04-10
• 發明（設計）人: P·塞繆爾森
• 申請（專利權）人: 肯桑特拉沃克斯塔茨股份公司
• 主分類號: C25D15/02
• 分類號: C25D15/02;F16J9/26
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王杰

1.采用陶瓷鉻層對基體，特別是活塞環進行電解鍍覆的方法，所述基體布置在與電壓連接的電極處，用于鍍覆基體的鉻離子存在于電解質中，所述方法的特征在于所述電解質含有以離子形式存在電解質中的結晶載體結構，所述載體結構起作為存在于電解質中的鉻離子的載體作用，而且，所述載體結構借助所述方法進入在基體上形成的陶瓷鉻層中。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于所述載體是沸石。

3.根據權利要求1或2的方法，其特征在于當陶瓷鉻層在基體上形成時，基體保持實質上恒定的電勢。

4.根據權利要求1-3中之任何一項的方法，其特征在于所使用的載體結構是酸穩定的。

5.根據權利要求1-4中之任何一項的方法，其特征在于所使用的載體結構是熱穩定的。

6.根據權利要求1-5中之任何一項的方法，其特征在于所使用的載體結構起Cr³⁺的載體作用。

7.根據權利要求1-6中之任何一項的方法，其特征在于所使用的載體結構起Cr⁶⁺的載體作用。

8.根據權利要求2以及權利要求1-7中之任何一項的方法，其特征在于所述沸石具有MFI型結構(Mobile?Five)。

9.鍍覆至基體，特別是活塞環的陶瓷鉻層，其特征在于所述鉻層采用根據權利要求1-7中之任何一項的方法形成并且包含結晶載體結構。

10.根據權利要求9的陶瓷鉻層，其特征在于所述載體結構是沸石。

11.根據權利要求9或10的陶瓷鉻層，其特征在于所述載體結構存在于所述層下面的基體中以及在表面形成的一次裂紋網絡中。

12.根據權利要求9-11中之任何一項的陶瓷鉻層，其特征在于所述載體結構是酸穩定的。

13.根據權利要求9-12中之任何一項的陶瓷鉻層，其特征在于所述載體結構是熱穩定的。

14.根據權利要求9-13中之任何一項的陶瓷鉻層，其特征在于所述載體結構與Cr³⁺離子化學結合。

15.根據權利要求9-14中之任何一項的方法，其特征在于所述載體結構與Cr⁶⁺離子化學結合。

16.根據權利要求10以及權利要求10-15中之任何一項的方法，其特征在于所述沸石具有MFI型結構(Mobile?Five)。

17.根據權利要求9-16中之任何一項的陶瓷鉻層，其特征在于氫在載體中的束縛方式可防止當鉻層的溫度升高時，氫從中沸騰出去。

18.采用權利要求1定義的方法制備的陶瓷鉻層。

19.鍍覆有權利要求9所述類型的陶瓷鉻層的活塞環。