[發明專利]結晶分子篩層及其制造方法

無效

• 申請號: 00804871.1
• 申請日: 2000-03-10
• 公開（公告）號: CN1344179A
• 公開（公告）日: 2002-04-10
• 發明（設計）人: M·H·C·安索尼斯;A－J·博斯;H·W·戴克曼;J·赫德倫德;W·F·萊;J·A·J·皮特斯
• 申請（專利權）人: 埃克森美孚化學專利公司
• 主分類號: B01D71/02
• 分類號: B01D71/02;B01J37/02;B01J20/18
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王杰

1.一種結晶分子篩層，在大于或等于250℃的溫度和大于或等于10×10³Pa的芳烴分壓下測定，它具有2或更高的對二甲苯對間二甲苯的選擇性(α_x)，且對二甲苯的滲透性(Q_x)為3.27×10^-8摩爾(px)/米².s.Pa(px)或更高。

2.根據權利要求1所要求的結晶分子篩層，其中所述分子篩層承載在多孔載體上。

3.根據權利要求1或權利要求2所要求的結晶分子篩層，其中所述結晶分子篩已由分子篩種子生長。

4.根據前述權利要求中任何一項所要求的結晶分子篩層，其中對二甲苯滲透性為5.45×10^-8摩爾(px)/米².s.Pa(px)或更高。

5.根據前述權利要求中任何一項所要求的結晶分子篩層，其中對二甲苯對間二甲苯的選擇性為2.5或更高。

6.根據前述權利要求中任何一項所要求的結晶分子篩層，它在t＝2小時時的(Δα_PX/Mx/Δt)大于0。

7.根據前述權利要求中任何一項所要求的結晶分子篩層，它在大于或等于500×10³Pa的芳烴分壓下測定。

8.根據權利要求1-7中任何一項所要求的結晶分子篩層，它是修復的且修復后在大于或等于250℃的溫度和大于或等于10×10³Pa的芳烴分壓下測定的對二甲苯對間二甲苯的選擇性(α_x)為10或更高且對二甲苯滲透性(Q_x)為4.36×10^-8摩爾(px)/米².s.Pa(px)或更高。

9.根據前述權利要求中任何一項所要求的結晶分子篩層，它在360℃或更高的溫度下測定。

10.根據前述權利要求中任何一項所要求的結晶分子篩層，其中所述結晶分子篩是一種MFI型分子篩。

11.一種制造根據權利要求1-10中任何一項的結晶分子篩層的方法，該方法包括：

a)提供一種其上沉積有平均粒徑200納米或更低的分子篩晶體的種子的載體，

b)在沉積分子篩種子之前或之后，用浸漬材料浸漬該載體，

c)將其上沉積有種子的浸漬載體與一種分子篩合成混合物接觸，

d)將其上沉積有種子的浸漬載體進行水熱處理，同時接觸該分子篩合成混合物以在該載體上形成結晶分子篩層；然后

e)從載體上去除浸漬材料。

12.根據權利要求11所要求的方法，其中在浸漬之前將浸漬前遮蔽層施用到載體上并隨后在浸漬之后而去除。

13.根據權利要求11或權利要求12所要求的方法，其中所述分子篩合成混合物在配制用于制造含硅分子篩時的H₂O∶SiO₂摩爾比為7-100∶1。

14.根據權利要求11-13中任何一項所要求的方法，其中所述浸漬材料是烴樹脂。

15.根據權利要求11-13中任何一項所要求的方法，其中所述浸漬材料是烴蠟。

16.根據權利要求11-13中所要求的方法，其中所述浸漬材料是丙烯酸系樹脂。

17.根據權利要求11-16中任何一項所要求的方法，其中所述分子篩種子的平均粒徑為100納米或更低。

18.根據權利要求11-17中任何一項所要求的方法，其中所述分子篩種子基本上沉積成單層。

19.根據權利要求18所要求的方法，其中所述單層種子層通過利用電荷逆轉和陽離子聚合物而沉積。

20.根據權利要求11-17中任何一項所要求的方法，其中所述分子篩種子作為種子層而存在且所述種子層的厚度為3μm或更低。

21.根據權利要求11-20中任何一項所要求的方法，其中用于水熱合成的所述溫度為100℃或更低。