[發(fā)明專利]導(dǎo)電性氮化物膜及其制備方法和防反射體

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00803600.4
• 申請日: 2000-02-10
• 公開（公告）號: CN1340201A
• 公開（公告）日: 2002-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藤野正美;佐藤一夫;光井彰;竹田諭司;堀江則俊
• 申請（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: H01B1/06
• 分類號: H01B1/06;H01B5/14;C23C14/06;C23C14/34;G09F9/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 章鳴玉

1.導(dǎo)電性氮化物膜，包含Ti和/或Zr及選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性氮化物膜，其中，相對于Ti、Zr、Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的總和，Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的總和的比例為0.1-20at％。

3.導(dǎo)電性氮化物膜，包含Ti和/或Zr及選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬且Ni、Pd、Ag、Au和Pt的總和相對Ti、Zr和Ni、Pd、Ag、Au和Pt總和的比例為0.1-20at％。

4.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電性氮化物膜的制備方法，其特征在于：用包含Ti和/或Zr及選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬靶在含氮氣氛中進(jìn)行濺射。

5.如權(quán)利要求4所述導(dǎo)電性氮化物膜的制備方法，其中使用的金屬靶包含Ti和/或Zr及選自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬，且相對于Ti、Zr、Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的總和，Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的總和的比例為0.1-20at％。

6.權(quán)利要求3所述導(dǎo)電性氮化物膜的制備方法，其特征在于：用包含Ti和/或Zr及選自Ni、Pd、Ag、Au和Pt的一種以上金屬且Ni、Pd、Ag、Au和Pt的總和相對Ti、Zr和Ni、Pd、Ag、Au和Pt總和的比例為0.1-20at％的金屬靶在含氮氣氛中進(jìn)行濺射。

7.防反射體，其特征在于：在基體上具有一層以上權(quán)利要求1、2或3所述的導(dǎo)電性氮化物膜及一層以上低折射率膜。

8.在顯示器顯示用材料上形成一層以上權(quán)利要求1、2或3所述的導(dǎo)電性氮化物膜及一層以上低折射率膜、具有防反射性能的顯示器顯示用材料。

9.具有如權(quán)利要求8所述具有防反射性能的顯示器顯示用材料的顯示器。