[發明專利]用于電子器件監視的小尺寸和高信號波幅的磁－聲標識器

無效

• 申請號: 00803568.7
• 申請日: 2000-02-10
• 公開（公告）號: CN1340181A
• 公開（公告）日: 2002-03-13
• 發明（設計）人: G·赫爾策
• 申請（專利權）人: 真空融化股份有限公司
• 主分類號: G08B13/24
• 分類號: G08B13/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 盧新華,劉玥

1、一種在磁機械電子器件監視系統中，在裝有產生偏置磁場的偏置元件的標識器中使用的諧振器的生產方法，所述方法包括下述步驟：

提供包含一種合金的平面鐵磁帶，其合金的鐵含量是至少約15原子％，所述的鐵磁帶具有沿鐵磁帶最長方向伸長的帶軸；

所述鐵磁帶退火，而讓所述的鐵磁帶受到至少一個與所述帶軸垂直取向的磁場和沿所述帶軸施加的張應力的作用，以得到退火的鐵磁帶；

從所述的鐵磁帶切下片，這些片分別具有基本相同的長度和基本相同的寬度，所述的片在所述的±500Hz磁場中具有各自的共振頻率；以及

將至少兩個所述的片配準放置以構成多重諧振器。

2、根據權利要求1所述的方法，其中提供平面鐵磁帶步驟包括提供鈷含量小于約18原子％和鎳含量至少約25原子％的鐵磁帶。

3、根據權利要求1所述的方法，其中所述鐵磁帶有包含所述帶軸的帶平面，以及其中所述鐵磁帶退火步驟包括在具有與所述平面垂直的基本分量的磁場中使所述的鐵磁帶退火。

4、根據權利要求3所述的方法，其中所述鐵磁帶退火步驟包括，在除了所述的與所述平面垂直的基本分量之外，還有在所述平面中和與所述帶軸橫向的分量，和沿所述鐵磁帶的最小分量的磁場中使所述的鐵磁帶退火，以便在所述的鐵磁帶中產生與所述帶軸橫向取向的規則細區域結構。

5、根據權利要求1所述的方法，其中所述鐵磁帶退火步驟包括，在強度至少約800奧斯特，同時往所述的鐵磁帶施加張力強度為約50-150兆帕的磁場中，以所述鐵磁帶的退火速度約15-50米/分，以及退火溫度約300-400℃的條件下使所述的鐵磁帶退火。

6、根據權利要求5所述的方法，其中所述鐵磁帶退火步驟包括在強度至少約2000奧斯特的磁場中使所述的鐵磁帶退火。

7、根據權利要求1所述的方法，其中所述鐵磁帶退火步驟包括使所述的鐵磁帶退火，以產生在所述片中的磁滯回線，從所述的退火鐵磁帶切下時，其磁滯回線直到所述合金被鐵磁飽和的磁場都是線性的。

8、根據權利要求1所述的方法，其中所述的鐵磁帶具有一定帶厚度，其中所述鐵磁帶退火步驟包括使所述的鐵磁帶退火，以便在所述鐵磁帶中產生細區域結構，該結構的區域寬度小于所述的帶厚度。

9、根據權利要求1所述的方法，該方法包括選擇所述合金的組成，以便在每個所述的片中產生飽和磁致伸縮為約8-14ppm，所述多重諧振器的各向異性場H_k為約8-12奧斯特。

10、根據權利要求9所述的方法，該方法包括選擇所述合金的所述組成，以便使所述多重諧振器具有穩定的共振頻率F_r，其中[dF_r/dH]＜750Hz/Oe，其中H是所述的偏置磁場，其中除去所述的偏置磁場時F_r變化為1.6kHz。

11、根據權利要求1所述的方法，其中提供平面鐵磁帶步驟包括提供無定形帶，該帶的組成是Fe_aCo_bNi_cSi_xB_yM_z，式中a、b、c、x、y和z是以原子％表示的，其中M是至少一種選自C、P、Ge、Nb、Ta和Mo的玻璃生成促進元素，和/或至少一種選自Cr和Mn的過渡元素，以及其中

15≤a≤30

6≤b≤18

27≤c≤55

0≤x≤10

10≤y≤25

0≤z≤5

14≤x＋y＋z≤25

并且a＋b＋c＋x＋y＋z＝100。

12、根據權利要求11所述的方法，其中提供平面鐵磁帶步驟包括提供所述平面無定形帶，其中：

20≤a≤28

6≤b≤14

40≤c≤55

0.5≤x≤5

12≤y≤18

0≤z≤2

15≤x＋y＋z≤20。

13、根據權利要求1所述的方法，其中從所述退火鐵磁帶切片的步驟包括從所述鐵磁帶切片，每片的寬度約4-8毫米，長度約35-40毫米，而厚度是約20-30微米。