[發(fā)明專利]管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00803046.4 | 申請日: | 2000-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN1338118A | 公開(公告)日: | 2002-02-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | W·K·-H·舒 | 申請(專利權(quán))人: | 皇家菲利浦電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/485 | 分類號: | H01L23/485 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陳霽,梁永 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 管芯 龜裂 吸收 集成電路 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,包括以下步驟:
a)在晶片上施加擴散材料;
b)在所說擴散材料上形成抗蝕掩模圖形;
c)顯影所說晶片以淀積其它材料;及
d)在顯影所說擴散材料產(chǎn)生的空間中淀積彈性材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,其中在步驟a)利用熱氧化形成二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,其中步驟a)還包括以下步驟:
在所說擴散爐中加熱所說晶片;
在仔細(xì)控制適于在所說晶片表面上形成均勻厚度的二氧化硅膜的條件下,將所說晶片暴露于超純氧;及
利用高純低顆粒密度的化學(xué)試劑預(yù)洗所說晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,其中步驟b)還包括以下步驟:
用抗蝕材料涂敷擴散材料;及
利用光刻工藝在所說抗蝕材料上印刻掩模圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,還包括以下步驟:
在所說晶片上涂敷光致抗蝕劑或光敏膜;
對準(zhǔn)所說晶片與所說掩模;
通過所說掩模和一系列還原透鏡,投射強光;及
根據(jù)所說掩模的圖形曝光所說光致抗蝕劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,其中所說光刻工藝包括X射線光刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,其中在加工另一區(qū)時,所說抗蝕材料用于掩蔽或保護所說晶片的一個區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,其中步驟c)還包括以下步驟:
去除較軟的已曝光光致抗蝕劑;及
烘焙晶片,硬化其余光致抗蝕圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,其中步驟d)還包括以下步驟:
在所說其余擴散材料和光致抗蝕材料上散布所說彈性材料,使所說彈性材料填充在顯影的區(qū)域中;及
所說顯影區(qū)中填充了彈性材料后,去除過量的彈性材料。
10.一種管芯焊盤吸收龜裂集成電路芯片制造方法,包括:
適于提供所說抗龜裂集成電路芯片基礎(chǔ)的襯底;
耦合到所說襯底的金屬層,所說金屬層用于導(dǎo)電;
耦合到所說金屬層的金屬間氧化(IMO)層,所說金屬間氧化層用作集成電路元件;
耦合到所說金屬間氧化層的彈性模數(shù)填料塊,所說彈性模數(shù)填料塊用于吸收應(yīng)力能量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片,其中所說彈性模數(shù)填料塊包括彈性模數(shù)比形成所說金屬間氧化層的材料低的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片,其中所說彈性模數(shù)填料塊包括具有較柔軟的彈性特性的材料,用于吸收與作用于所說管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片上的應(yīng)力相關(guān)的能量。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片,其中所說彈性模數(shù)填料塊吸收與作用于所說管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片上的應(yīng)力相關(guān)的能量,從而減少龜裂在各層間的延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片,其中所說彈性模數(shù)填料塊包括彈性模數(shù)低于所說IMO層中所含材料的材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片,其中所說彈性模數(shù)填料塊包括鋁。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片,其中所說彈性模數(shù)填料塊包括具有會使彈性模數(shù)填料塊比所說IMO層中所含材料更柔軟的彈性特性和模數(shù)結(jié)構(gòu)的材料,該材料具有通過集成芯片的各層釋放加劇龜裂力的應(yīng)力能量的能力。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片,其中所說彈性模數(shù)填料塊包括彈性模數(shù)填料層。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的管芯焊盤龜裂吸收集成電路芯片,其中所說彈性模數(shù)填料塊設(shè)置成使各層間龜裂延伸的阻力最大。
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