[發明專利]含P的硫化GeAs玻璃無效
| 申請號: | 00802506.1 | 申請日: | 2000-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN1335826A | 公開(公告)日: | 2002-02-13 |
| 發明(設計)人: | B·G·艾特貝 | 申請(專利權)人: | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號: | C03C3/32 | 分類號: | C03C3/32 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所 | 代理人: | 周承澤 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硫化 geas 玻璃 | ||
1.一類透明的硫化GeAs玻璃,具有優良的遠至光譜紅外區的透射,這類玻璃按照硫化物的摩爾%表示,主要包括55-95%GeS2、0-40%As2S3和/或Sb2S3、0.01-25%P2S5、0-15%MSx、0-20%Cl和/或F、0-5%Se和0-5%O,MSx中的M是一個或多個選自下列的元素:Li、Na、K、Ag、Tl、Ca、Sr、Ba、Cd、Hg、Sn、Pb、B、Al、Si、Y和鑭系稀土金屬,S和/或Se總含量為化學計量值的75-130%。
2.如權利要求1所述的玻璃,其特征在于這類玻璃還包含0-25%摩爾選自Ga2S3、In2S3及其混合物的硫化物,P、Ga和In硫化物的總含量不超過25%摩爾。
3.如權利要求2所述的玻璃,其特征在于所述Ga2S3是所選的另外硫化物。
4.如權利要求2所述的玻璃,其特征在于Ga和/或In與P的比值為1∶1或更大。
5.如權利要求1所述的硫化GeAs玻璃,其特征在于所述的玻璃組成包含作為摻雜劑的稀土金屬離子,所述稀土金屬離子選自鑭和镥之間的元素并包括鑭和镥。
6.如權利要求5所述的硫化GeAs玻璃,其特征在于所述稀土金屬離子摻雜劑含量在0.005-1.0%重量范圍。
7.如權利要求5所述的硫化GeAs玻璃,其特征在于所述稀土金屬離子摻雜劑是鐠。
8.如權利要求1所述的硫化GeAs玻璃,其特征還在于所述玻璃除包含P外,還包含比Ge、As和S更輕的元素。
9.如權利要求8所述的硫化GeAs玻璃,其特征還在于所述玻璃包含至少一種選自B、Si、Al或O的元素。
10.如權利要求9所述的硫化GeAs玻璃,其特征在于P和選擇的元素總含量不超過約1%。
11.如權利要求2所述的硫化GeAs玻璃,其特征在于P離子與稀土金屬離子的比值至少為1∶1。
12.如權利要求11所述的硫化GeAs玻璃,其特征還在于所述比值至少為5∶1。
13.如權利要求12所述的硫化GeAs玻璃,其特征還在于所述比值至少約為20∶1。
14.一種光學元件,由具有優良的遠至光譜紅外區的透射的硫化GeAs玻璃構成,所述玻璃組成按照硫化物的摩爾%表示,主要包括55-95%GeS2、0-40%As2S3和/或Sb2S3、0.01-25%P2S5、0-15%MSx、0-20%Cl和/或F、0-5%Se和0-5%O,MSx中的M是一個或多個選自下列的元素:Li、Na、K、Ag、Tl、Ca、Sr、Ba、Cd、Hg、Sn、Pb、B、Al、Si、Y和鑭族稀土金屬,S和/或Se總含量為化學計量值的75-130%。
15.如權利要求14所述的光學元件,其特征在于所述GeAs玻璃還包含0-25%摩爾選自Ga2S3、In2S3及其混合物的硫化物,P、Ga和In硫化物的總含量不超過25%摩爾。
16.如權利要求15所述的光學元件,其特征在于Ga和/In與P的比值為1∶1或更大。
17.如權利要求14所述的光學元件,其特征在于所述GeAs玻璃摻雜了選自鑭和镥之間的元素并包括鑭和镥的稀土金屬離子。
18.如權利要求15所述的光學元件,其特征在于作為共摻雜劑的磷離子與稀土金屬離子的比值至少約為5∶1。
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