[發明專利]生產單同位素硅Si28的方法無效
| 申請號： | 00802205.4 | 申請日： | 2000-10-04 |
| 公開（公告）號： | CN1327434A | 公開（公告）日： | 2001-12-19 |
| 發明（設計）人： | G·G·德夫亞特卡;A·M·普羅克霍羅夫;E·M·迪亞諾夫;A·V·古瑟夫;A·D·布蘭諾夫;P·G·賽尼科夫;H－J·波爾 | 申請（專利權）人： | 俄羅斯科學院高純材料化學研究所 |
| 主分類號： | C01B33/021 | 分類號： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 孫愛 |
| 地址： | 俄羅斯聯邦*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生產 同位素 si28 方法 | ||
1.一種由富含Si28的無機化合物，主要是四氟化硅來生產單同位素硅Si28的方法，包括將四氟化硅在高溫下還原，其特征在于由四氟化硅生成硅烷，將硅烷進行高溫分解處理，優選800-900℃的溫度下處理，且單同位素硅沉積到基體上的速度不超過0.5mm/小時。
2.按權利要求1的方法，其特征在于是通過在180-200℃的溫度下將四氟化硅用氫化鈣還原的方法來制備硅烷。
3.按權利要求1-2的方法，其特征在于硅的沉積速度主要通過改變硅烷的供應速度來調節。
4.按權利要求1-3的方法，其特征在于沉積過程在一個預先得到的單同位素硅基體上進行。
5.按權利要求1-4的方法，其特征在于單同位素硅的沉積過程分兩個階段進行，第一階段是在一個難熔基體上進行沉積，然后，將得到的單同位素硅棒與基體脫離，繼續在第一階段得到的單同位素硅棒上進行沉積操作。
6.按權利要求5的方法，其特征在于使用一種熔點高于硅沉積溫度的金屬作為所述硅沉積第一階段時的基體材料。
7.按權利要求5的方法，其特征在于硅沉積過程第一階段時，單同位素硅層應達到能確保沉積層脫離的厚度。
8.按權利要求5-7的方法，其特征在于第一沉積階段所得到的硅層通過機械方法與基體脫離。
9.按權利要求5-7的方法，其特征在于第一沉積階段所得到的硅層通過快速冷卻的方法與基體脫離。
10.按權利要求1-9的方法，其特征在于對成品硅棒進行深度純化處理，優選采用無坩堝區域熔煉法處理。
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