[發明專利]端接模擬用戶線路的電路布置無效
| 申請號: | 00801946.0 | 申請日: | 2000-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN1321387A | 公開(公告)日: | 2001-11-07 |
| 發明(設計)人: | 亞利山大·卡爾;耶爾格·豪普特曼 | 申請(專利權)人: | 印芬龍科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H04M3/00 | 分類號: | H04M3/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 王仲賢 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 端接 模擬 用戶 線路 電路 布置 | ||
本發明涉及一種端接模擬用戶線路的電路布置,該電路布置具有用于端接用戶線路的一第一端子(a)和一第二端子(b),并且其中第一端子(a)通過一由第一電容器(C1)、至少一可變電阻(T1、R1、T2、R2)和一第二電容器(C2)構成的串聯電路與第二端子(b)連接。
一用于端接用戶模擬線路(用戶線路電路)的電路布置形成交流信號和直流信號的端接阻抗。其中當存在信號傳輸連接時,直流信號的端接阻抗(直流-端接阻抗)和交流信號的端接阻抗(交流-端接阻抗)接在用戶線路上。
直流-端接阻抗用于調整端接模擬用戶線路的電路布置的工作點,并向對方臺站(例如交換局)通告已存在連接。在發送或接收信號(例如話音-或數據信號)時,流過用戶線路的電流將以被直流端接阻抗調整的工作點為基準受到調制。其中工作點取決于由對方臺站饋送的流過用戶線路的直流電流,并取決于通過直流-端接阻抗調整的直流-特性。
僅需要改變電路,例如更換電阻、電容等即可以實現根據所在國對直流-和交流-端接阻抗的具體要求的變化或與后者的適配。
所以本發明的目的在于提出一種端接模擬用戶線路的電路布置,該電路布置用很少的電路花費即可構成可調的交流-端接阻抗,該端接阻抗是可編程的,并且其中用戶線路是無直流的。
實現該目的的技術方案是,直流源接在第一電容器和可變電阻之間的節點上。
本發明涉及一種端接模擬用戶線路的電路布置,該電路布置具有用于端接雙芯線用戶線路的第一端子和第二端子。第一端子通過一由第一電容器、至少一可變電阻和一第二電容器構成的串聯電路與第二端子連接。根據本發明,直流源接在第一電容器和可變電阻之間的節點上。直流源加入一用于調整在模擬用戶線路上進行信號傳輸時的工作點的電流。由于設有第一和第二電容器,因而直流信號在用戶線路上被截止,所以在模擬用戶線路上沒有直流電流流動。另外,第一和第二電容器和可變電阻形成交流信號的端接阻抗。通過可變電阻實現對直流信號的工作點和交流信號的端接阻抗的調整。
根據本發明的一優選實施方式,由一晶體管和一電阻構成直流源,其中晶體管的負載電路與電阻串聯,并且電阻的自由端子與電源電壓連接。晶體管的控制端子通過一控制電路與晶體管的負載電路和電阻之間的連接點連接。
根據本發明的一特別優選的實施方式,控制電路具有一個運算放大器,該運算放大器對在晶體管的負載電路和電阻的連接點上的電壓與基準電壓進行比較,并根據比較結果通過其輸出電壓對晶體管進行控制。
直流源優選具有一個二極管,該二極管與晶體管的負載電路串聯。二極管的優點在于可以防止晶體管被呼叫信號的高壓損傷。
下面將對照實施例并結合附圖對本發明的其它優點、特征和應用加以說明。圖中示出:
圖1示出端接模擬用戶線路的電路布置的實施例,該實施例的電路布置設置在用于在模擬用戶線路上進行數據傳輸的器件內。
圖1示出端接模擬用戶線路的電路布置,其中模擬用戶線路具有雙芯線,所述雙芯線與電路布置的第一端子a和第二端子b連接。
第一端子a通過一第一電容器C1、一第一n-溝道-MOS場效應晶體管T1和一第一電阻R1的串聯電路與基準電位VSS連接。第二端子b通過一第二電容器C2、一第二n-溝道-MOS場效應晶體管T2和一第二電阻R2的串聯電路與基準電位VSS連接?;鶞孰娢籚SS在本實施例中等于零電位。第一電容器C1和第二電容器C2對在模擬用戶線路上的直流信號進行阻塞。因此沒有直流信號經用戶線路流入電路布置中。
為對電路布置的直流工作點進行調整,經第一分壓器R3和R6,對在第一電容器和第一n-溝道-MOS場效應晶體管T1之間的連接點上的電壓進行測量,并將此電壓加給直流-工作點控制電路3。另外,經第二分壓器R4和R7,對在第二電容器和第二n-溝道-MOS場效應晶體管T1之間的連接點上的電壓進行測量,并將此電壓加給直流-工作點控制電路3。直流-工作點控制電路3通過一加法電路4和一模擬積分電路2對第一n-溝道-MOS-場效應晶體管T1的負載電路的電阻進行調整,從而實現電路布置的直流-工作點的控制。
為了在連接點1和連接點11上存在可以測量的直流電壓,將連接點1與直流源連接,該直流源饋送一個電流I。第二n-溝道-MOS場效應晶體管T2的控制端子在該工作狀況下處于高電位VHIGH,因而第二n-溝道-MOS場效應晶體管T2的負載電路的電阻是低阻值的。
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