[發(fā)明專利]雙向取向薄膜以及磁記錄介質

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00801746.8
• 申請日: 2000-08-24
• 公開（公告）號: CN1320138A
• 公開（公告）日: 2001-10-31
• 發(fā)明（設計）人: 漥田啓;中島彰二;中森由佳里;恒川哲也
• 申請（專利權）人: 東麗株式會社
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;B32B27/36;G11B5/73;//C08L6700
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 楊宏軍

1、雙向取向薄膜，它由以聚酯(聚合物1)和聚酯以外的熱塑性樹脂(聚合物2)作為必須成分的聚合物合金構成，至少1個表面具有突起高度為2～50nm的微細突起100萬～9000萬個/mm²。

2、如權利要求1所述的雙向取向薄膜，微細突起的突起個數(shù)為300萬～6000萬個/mm²。

3、如權利要求1或2所述的雙向取向薄膜，微細突起的突起高度為2～30nm。

4、如權利要求1所述的雙向取向薄膜，微細突起中至少1部分由聚合物1或聚合物2構成。

5、如權利要求4所述的雙向取向薄膜，微細突起中30％以上由聚合物1或聚合物2構成。

6、如權利要求1所述的雙向取向薄膜，聚合物2比聚合物1玻璃化溫度(Tg)高。

7、如權利要求1所述的雙向取向薄膜，聚合物2與聚合物1具有相溶性。

8、如權利要求1所述的雙向取向薄膜，聚合物2為選自聚酰亞胺、聚砜和聚醚砜中至少1種的熱塑性樹脂。

9、如權利要求8所述的雙向取向薄膜，聚合物2為聚酰亞胺。

10、如權利要求9所述的雙向取向薄膜，聚合物2為聚醚酰亞胺。

11、如權利要求1所述的雙向取向薄膜，聚合物1為聚對苯二甲酸乙二醇酯。

12、如權利要求1所述的雙向取向薄膜，突起高度大于50nm的突起個數(shù)為3000個/mm²以下。

13、如權利要求1所述的雙向取向薄膜，突起高度大于30nm的突起個數(shù)為1500個/mm²以下。

14、雙向取向薄膜，在基層部(B層)至少一方的最外層上層壓權利要求1所述的薄膜(A層)構成。

15、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，在基層部(稱為B層)的一面的最外層上層壓權利要求1所述的薄膜(A層)，相反一側的最外層上層壓其它薄膜(C層)得到的至少由A層/B層/C層3層層壓構成。

16、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，A層一側的表面粗糙度Ra_A為0.2～10nm,C層一側的表面粗糙度為Ra_C為1～30nm，而且Ra_C大于Ra_A。

17、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，基層部(B層)由聚合物1或以聚合物1和聚合物2為必須成分的聚合物合金構成。

18、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，A層一側表面上突起高度大于50nm的突起個數(shù)為3000個/mm²以下。

19、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，A層一側表面上突起高度大于30nm的突起個數(shù)為1500個/mm²以下。

20、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，A層中聚合物2的含量W_A(重量％)與B層中聚合物2的含量W_B(重量％)滿足以下關系，

0≤W_B≤40、5≤W_A≤50、10≤W_A-W_B≤40。

21、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，A層中聚合物2的含量W_A(重量％)與B層中聚合物2的含量W_B(重量％)滿足以下關系，

0≤W_B≤25、25≤W_A≤50、10≤W_A-W_B≤40。

22、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，A層中實質上不含有惰性粒子。

23、如權利要求14所述的雙向取向薄膜，A層中含有平均粒徑0.01～2μm的惰性粒子0.001～2重量％。

24、如權利要求23所述的雙向取向薄膜，A層中含有平均粒徑0.01～1μm的惰性粒子0.01～1重量％。